[發(fā)明專利]轉(zhuǎn)印基板、轉(zhuǎn)印裝置以及轉(zhuǎn)印方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110982958.5
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN113811094B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 向昌明
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G09F9/302
• 分類號: G09F9/302;H05K3/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種轉(zhuǎn)印基板，其特征在于，所述轉(zhuǎn)印基板具有至少一漿料槽、以及形成于所述漿料槽的內(nèi)底面的凹陷結(jié)構(gòu)；

其中所述漿料槽用于收容漿料以形成一漿料層，所述漿料層形成有對應(yīng)于所述凹陷結(jié)構(gòu)的凸起結(jié)構(gòu)，所述漿料層可供轉(zhuǎn)印至一被轉(zhuǎn)印基板的外彎折面上以在所述外彎折面上獲得一目標(biāo)膜層；

所述漿料層的凸起結(jié)構(gòu)對應(yīng)于所述漿料層與所述外彎折面的彎折結(jié)構(gòu)相接觸的位置；

其中所述漿料槽的內(nèi)底面形成兩個所述凹陷結(jié)構(gòu)，兩個所述凹陷結(jié)構(gòu)分別對應(yīng)于兩個所述彎折結(jié)構(gòu)，其中所述彎折結(jié)構(gòu)為彎折線。

2.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印基板，其特征在于，所述漿料槽與所述目標(biāo)膜層的展平狀態(tài)的形狀相對應(yīng)。

3.如權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)印基板，其特征在于，所述漿料槽的槽深等于所述目標(biāo)膜層的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印基板，其特征在于，所述凹陷結(jié)構(gòu)的截面形狀為楔形、半圓形、矩形或梯形中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)印基板，其特征在于，所述轉(zhuǎn)印基板的材料為鋼材。

6.一種轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)印基板以及轉(zhuǎn)印膠頭。

7.一種轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，?所述轉(zhuǎn)印方法包括以下步驟：

制備如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)印基板；以及，

在所述轉(zhuǎn)印基板的漿料槽中注入漿料，然后將所述漿料層轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印基板的外彎折面以獲得一目標(biāo)膜層。

8.如權(quán)利要求7所述的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述的制備所述轉(zhuǎn)印基板的步驟包括以下步驟：

依據(jù)所述目標(biāo)膜層的展平狀態(tài)的形狀，制作漿料槽；以及，

加深所述漿料槽的內(nèi)底面的對應(yīng)于所述漿料與所述彎折結(jié)構(gòu)接觸位置的部分區(qū)域處的深度。

9.如權(quán)利要求8所述的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，采用激光雕刻的方法對所述漿料槽內(nèi)底面進(jìn)行加深。