[發(fā)明專利]一種鎂基空心納米材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110982167.2 | 申請日： | 2021-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN113667935B | 公開（公告）日： | 2023-08-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡軍;楊家赫;謝波 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/35;B82Y30/00;B82Y40/00;C01F5/04 |
| 代理公司： | 杭州浙科專利事務(wù)所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 周紅芳 |
| 地址： | 310014 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 空心 納米 材料 制備 方法 | ||
1.一種鎂基空心納米材料的制備方法，其特征在于，利用團(tuán)簇束流沉積設(shè)備采用多靶磁控等離子體氣體聚集法產(chǎn)生鎂基空心納米粒子，所述多靶等離子體氣體聚集法使用至少包含一個濺射源是以鎂為濺射靶材，一個濺射源是以鈀為濺射靶材來進(jìn)行共濺射；
所述制備方法的具體過程為：將鎂靶材與鈀靶材分別裝載于團(tuán)簇束流沉積設(shè)備的濺射源上，對團(tuán)簇束流沉積設(shè)備抽取高真空，向團(tuán)簇束流沉積設(shè)備的濺射腔中充入高純度的惰性氣體作為濺射氣，向團(tuán)簇束流沉積設(shè)備中充入高純度的惰性氣體作為緩沖氣，且高純氧氣隨緩沖氣一起通入；在團(tuán)簇束流沉積設(shè)備的至少兩個等離子體磁控濺射源上分別施加電壓，將其電離，加速，產(chǎn)生包含鎂和鈀的混合原子氣，通過與大量惰性氣體碰撞后，生長成為納米顆粒，并且通過差分抽氣的方法形成納米顆粒的束流，最終將束流引向襯底表面上，繼而制備出空心納米材料；
以高純氬氣為濺射氣體，質(zhì)量流量范圍為20~80?sccm；
以高純氬氣為緩沖氣，質(zhì)量流量范圍為20~80?sccm；
高純氧氣隨緩沖氣一起通入，高純氧氣通入的質(zhì)量流量范圍為1~20?sccm，最終得到的空心納米材料直徑為50~500?nm。
2.如權(quán)利要求1所述的一種鎂基空心納米材料的制備方法，其特征在于，將鎂靶材的濺射功率設(shè)置為20~50?W，其濺射電流為0.10~0.60?A，濺射電壓為200~350?V。
3.如權(quán)利要求1所述的一種鎂基空心納米材料的制備方法，其特征在于將鈀靶材的濺射功率設(shè)置為5~30?W，其濺射電流為0.10~0.50?A，濺射電壓為150~300?V。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
