[發(fā)明專利]液處理方法和液處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110980802.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114141654A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃庸根;畠山真一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;池兵 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
本發(fā)明提供能夠?qū)谋趁娴某酥芏艘酝獾沫h(huán)狀區(qū)域供給處理液以進(jìn)行局部處理的液處理方法和液處理裝置。液處理方法包括:將基片的背面的中心部載置在載置臺(tái)上,并使該載置臺(tái)旋轉(zhuǎn)的工序;和從噴嘴對(duì)旋轉(zhuǎn)的基片的背面的比周端靠中心的位置供給霧狀的處理液,并且使該處理液揮發(fā)使得該處理液不會(huì)因離心力而被供給到該基片的周端,從而對(duì)該基片的背面的環(huán)狀區(qū)域局部地進(jìn)行處理的工序。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液處理方法和液處理裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體器件的制造工藝中,使用液處理裝置對(duì)作為基片的半導(dǎo)體晶片(下面,記為晶片)供給各種處理液進(jìn)行液處理。作為該液處理的一個(gè)例子,有對(duì)晶片的背面供給清洗液進(jìn)行清洗的處理。專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種晶片清洗裝置,其中,將作為釋放清洗液的液流的結(jié)構(gòu)的噴嘴設(shè)置在晶片的背面?zhèn)龋糜删男D(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力使從該噴嘴釋放的清洗液在晶片的背面擴(kuò)展以進(jìn)行清洗。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2013-120911號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題
本發(fā)明提供能夠?qū)谋趁娴某酥芏艘酝獾沫h(huán)狀區(qū)域供給處理液以進(jìn)行局部處理的技術(shù)。
用于解決技術(shù)問(wèn)題的手段
本發(fā)明的液處理方法包括:將基片的背面的中心部載置在載置臺(tái)上,并使該載置臺(tái)旋轉(zhuǎn)的工序;和從噴嘴對(duì)旋轉(zhuǎn)的所述基片的背面的比周端靠中心的位置供給霧狀的處理液,并且使該處理液揮發(fā)使得該處理液不會(huì)因離心力而被供給到該基片的周端,從而對(duì)該基片的背面的環(huán)狀區(qū)域局部地進(jìn)行處理的工序。
發(fā)明效果
本發(fā)明能夠?qū)谋趁娴某酥芏艘酝獾沫h(huán)狀區(qū)域供給處理液以進(jìn)行局部處理。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的液處理裝置的縱截側(cè)面圖。
圖2是上述液處理裝置的平面圖。
圖3是表示由上述液處理裝置進(jìn)行的處理的工序圖。
圖4是表示由上述液處理裝置進(jìn)行的處理的工序圖。
圖5是表示由上述液處理裝置進(jìn)行的處理的工序圖。
圖6是表示由上述液處理裝置進(jìn)行的處理的工序圖。
圖7是表示由上述液處理裝置進(jìn)行的處理的工序圖。
圖8是表示上述處理工序中的清洗液的情形的說(shuō)明圖。
圖9是表示上述處理工序中的清洗液的情形的說(shuō)明圖。
圖10是表示上述處理工序中的清洗液的情形的說(shuō)明圖。
圖11是表示上述處理工序中的清洗液的情形的說(shuō)明圖。
圖12是表示設(shè)置在上述液處理裝置中的噴嘴的例子的縱截側(cè)面圖。
圖13是表示上述噴嘴的另一個(gè)例子的側(cè)面圖。
圖14是表示上述噴嘴的釋放口與投影的關(guān)系的平面圖。
圖15是表示上述液處理裝置的另一個(gè)例子的縱截側(cè)面圖。
圖16是表示上述液處理裝置的又一個(gè)例子的平面圖。
圖17是表示參考試驗(yàn)的結(jié)果的說(shuō)明圖。
圖18是表示比較試驗(yàn)的結(jié)果的說(shuō)明圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
T液流,W晶片,11旋轉(zhuǎn)卡盤,41清洗用噴嘴。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110980802.3/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





