[發明專利]濺鍍膜和干膜的壓合方法

在審

• 申請號: 202110980065.7
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN113427887A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 楊勝吉
• 申請（專利權）人: 常州欣盛半導體技術股份有限公司
• 主分類號: B32B37/12
• 分類號: B32B37/12;B32B37/10;B32B37/06;H01L21/56
• 代理公司: 常州至善至誠專利代理事務所(普通合伙) 32409
• 代理人: 王穎

本發明公開了一種濺鍍膜和干膜的壓合方法，包括以下步驟：S1：在濺鍍膜和干膜之間涂覆粘合劑，濺鍍膜覆蓋在干膜下方；S2：將經過步驟S1處理的濺鍍膜和干膜一起送入上熱壓輪和下熱壓輪之間，此時，濺鍍膜靠近下熱壓輪，干膜靠近上熱壓輪，干膜位于第一凹槽和第二凹槽之間；S3：上熱壓輪和下熱壓輪對濺鍍膜和干膜進行壓合處理。本發明的濺鍍膜和干膜的壓合方法，能夠改善干膜兩側的溢膠粘附在上熱壓輪的表面以及碳化的溢膠會破壞濺鍍膜和上熱壓輪表面的問題，提升產品的良率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種濺鍍膜和干膜的壓合方法。

背景技術

COF（Chip On Film），常稱覆晶薄膜，是將集成電路（IC）固定在柔性線路板上的晶粒軟膜構裝技術，運用軟質附加電路板作為封裝芯片載體將芯片與軟性基板電路結合，或者單指未封裝芯片的軟質附加電路板，包括卷帶式封裝生產（TAB基板，其制程稱為TCP）、軟板連接芯片組件、軟質IC載板封裝。

在COF加工過程中，一般需要進行壓膜處理，在已成型的集成電路表面覆蓋一層保護膜保護線路以絕緣和避免集成電路表面受到損傷。如圖1所示，目前，在壓膜過程中大多采用熱壓輪對濺鍍膜和干膜進行壓合處理，熱壓輪的外表面為光滑的表面，由于濺鍍膜和干膜之間會涂覆粘合劑，粘合劑是一種膠類物質，在壓合過程中會往干膜兩側溢出，并且長時間的加熱會使得溢出的粘合劑碳化。這樣，一方面，溢膠可能會粘附在熱壓輪表面，增加工作人員的清潔難度，嚴重時需要更換新的熱壓輪。另一方面，碳化后的溢膠具有一定的硬度，在壓合過程中，會同時受到上熱壓輪施加的壓力F1以及下熱壓輪施加的壓力F2，導致濺鍍膜和上熱壓輪的表面被破壞，濺鍍膜損壞會降低壓合效果，損壞干膜上的電子線路，進而導致產品的良率降低，上熱壓輪的表面損壞會縮短上熱壓輪的使用壽命，增加更換和維修的成本。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：為了解決現有技術中濺鍍膜和干膜在壓合過程的溢膠導致上熱壓輪表面不易清潔，碳化后的溢膠會導致濺鍍膜和熱壓輪表面損壞以及降低壓合效果的技術問題，本發明提供一種濺鍍膜和干膜的壓合方法，通過在上熱壓輪的表面設置第一凹槽和第二凹槽，形成預留空間，使得溢膠不會粘附在上熱壓輪的表面；并且第一凹槽和第二凹槽的存在使得碳化后的溢膠在被壓合的過程中的擠壓力能夠釋放，防止損壞濺鍍膜和上熱壓輪表面以及干膜的側面，提升壓合效果，降低產品的不良率。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種濺鍍膜和干膜的壓合方法，包括上熱壓輪和下熱壓輪，所述上熱壓輪和所述下熱壓輪呈上下設置；所述上熱壓輪的內部中空，所述下熱壓輪的內部中空；所述上熱壓輪的外表面沿其周向環設有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽之間的距離為S，干膜的寬度為L，所述寬度L與所述距離S相等；當濺鍍膜和干膜進行壓合時，具體包括以下步驟：

S1：在所述濺鍍膜和所述干膜之間涂覆粘合劑，所述濺鍍膜覆蓋在所述干膜下方；S2：將經過步驟S1處理的所述濺鍍膜和干膜一起送入所述上熱壓輪和下熱壓輪之間，此時，所述濺鍍膜靠近所述下熱壓輪，所述干膜靠近所述上熱壓輪，所述干膜位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之間；S3：所述上熱壓輪和下熱壓輪對所述濺鍍膜和干膜進行壓合處理。

進一步，具體的，所述第一凹槽的內壁與所述上熱壓輪的軸線垂直，所述第二凹槽的內壁與所述上熱壓輪的軸線垂直。這樣，第一凹槽和第二凹槽能夠更好地對準溢膠位置，使得效果能夠進一步提升。

進一步，具體的，所述濺鍍膜的寬度大于所述干膜的寬度。這樣使得濺鍍膜能夠更好的保護干膜。

進一步，具體的，所述第一凹槽的寬度d1為0.9-1.1mm，所述第一凹槽的深度h1為0.9-1.1mm。由于溢膠量是固定的，所以第一凹槽的寬度和深度以能夠滿足溢膠不會接觸上熱壓輪的表面為準。

進一步，具體的，所述第二凹槽的寬度d2為0.9-1.1mm，所述第二凹槽的深度h2為0.9-1.1mm。由于溢膠量是固定的，所以第二凹槽的寬度和深度以能夠滿足溢膠不會接觸上熱壓輪的表面為準。