[發(fā)明專利]磁傳感器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110974817.9
• 申請日: 2021-08-24
• 公開（公告）號: CN114252818A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 遠藤大三;坂脅彰
• 申請（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G01R33/06
• 分類號: G01R33/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 李國卿

本發(fā)明涉及磁傳感器。本發(fā)明的課題是抑制利用了磁致阻抗效應(yīng)的磁傳感器的輸出中的S/N的降低。本發(fā)明的磁傳感器(1)具備感應(yīng)元件(31)，所述感應(yīng)元件(31)具有多個軟磁體層(105)、和設(shè)置于多個軟磁體層之間的非磁性非晶金屬層(106)，夾持非磁性非晶金屬層(106)而相對的軟磁體層(105)是經(jīng)反鐵磁性耦合的，所述感應(yīng)元件(31)通過磁致阻抗效應(yīng)來感應(yīng)磁場。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磁傳感器。

背景技術(shù)

作為公報中記載的現(xiàn)有技術(shù)，存在下述磁致阻抗效應(yīng)元件，其具備在非磁性基板上形成的薄膜磁鐵(其由硬磁體膜形成)、覆蓋所述薄膜磁鐵上方的絕緣層、和在所述絕緣層上形成的被賦予了單軸各向異性的感磁部(其由一個或多個長方形形狀的軟磁體膜形成)(參見專利文獻1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-249406號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

在將具有軟磁體層的感應(yīng)元件用作磁致阻抗效應(yīng)元件的磁傳感器中，根據(jù)感應(yīng)元件結(jié)構(gòu)的不同，會有來自磁傳感器的輸出中的信號(Signal)與噪聲(Noise)之比即S/N降低的情況。

本發(fā)明的目的是抑制利用了磁致阻抗效應(yīng)的磁傳感器的輸出中的S/N的降低。

用于解決課題的手段

應(yīng)用了本發(fā)明的磁傳感器具備感應(yīng)元件，所述感應(yīng)元件具有多個軟磁體層、和設(shè)置于多個軟磁體層之間的非磁性非晶金屬層，夾持非磁性非晶金屬層而相對的軟磁體層是經(jīng)反鐵磁性耦合的，所述感應(yīng)元件通過磁致阻抗效應(yīng)來感應(yīng)磁場。

就這樣的磁傳感器而言，特征可以在于，感應(yīng)元件還具備導(dǎo)電性高于軟磁體層的導(dǎo)電體層，導(dǎo)電體層設(shè)置于夾持非磁性非晶金屬層而相對的軟磁體層被多層層疊之間。

并且，特征可以在于，非磁性非晶金屬層由包含Ti的非晶金屬構(gòu)成。

此處，特征可以在于，非磁性非晶金屬層為CrTi及AlTi中的任一種。

此外，特征可以在于，在非磁性非晶金屬層為CrTi的情況下，厚度為15nm以上且50nm以下的范圍。

就這樣的磁傳感器而言，特征可以在于，在從軟磁體層的厚度方向觀察軟磁體層的情況下，感應(yīng)元件不形成閉合磁疇。

另外，就這樣的磁傳感器而言，特征可以在于，還具備非磁性的基板、和在基板與感應(yīng)元件之間由硬磁體構(gòu)成且在面內(nèi)方向上具有磁各向異性的薄膜磁鐵，感應(yīng)元件具有長邊方向和短邊方向，長邊方向朝向薄膜磁鐵產(chǎn)生的磁場的方向。

此外，就這樣的磁傳感器而言，特征可以在于，還具備一對磁軛，所述一對磁軛以與感應(yīng)元件的長邊方向的端部相對的方式層疊于薄膜磁鐵上，并且以使薄膜磁鐵產(chǎn)生的磁通量在長邊方向上穿過感應(yīng)元件的方式進行誘導(dǎo)，磁軛具備多個軟磁體層、和層疊于軟磁體層之間的非磁性非晶金屬層。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制利用了磁致阻抗效應(yīng)的磁傳感器的輸出中的S/N的降低。

附圖說明

[圖1](a)～(b)為對應(yīng)用了本實施方式的磁傳感器的一例進行說明的圖。

[圖2](a)～(b)為對應(yīng)用了本實施方式的感應(yīng)部的各感應(yīng)元件的構(gòu)成進行說明的圖。

[圖3]為對在磁傳感器的感應(yīng)部中的感應(yīng)元件的長邊方向上施加的磁場、與感應(yīng)部的阻抗的關(guān)系進行說明的圖。

[圖4](a)～(d)為用于對以往的磁傳感器中施加于感應(yīng)元件的磁場的強度、與感應(yīng)元件的磁疇的變化的關(guān)系進行說明的圖。