[發明專利]磁傳感器在審
| 申請號： | 202110974817.9 | 申請日： | 2021-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN114252818A | 公開（公告）日： | 2022-03-29 |
| 發明（設計）人： | 遠藤大三;坂脅彰 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | G01R33/06 | 分類號： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 李國卿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 傳感器 | ||
1.磁傳感器，其具備感應元件，
所述感應元件具有多個軟磁體層、和設置于多個所述軟磁體層之間的非磁性非晶金屬層，
夾著所述非磁性非晶金屬層而相對的所述軟磁體層是經反鐵磁性耦合的，所述感應元件通過磁致阻抗效應來感應磁場。
2.根據權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述感應元件還具備導電性高于所述軟磁體層的導電體層，
夾著所述非磁性非晶金屬層而相對的所述軟磁體層被多層層疊，所述導電體層設置于被多層層疊的所述軟磁體層之間。
3.根據權利要求1或2所述的磁傳感器，其特征在于，所述非磁性非晶金屬層由包含Ti的非晶金屬構成。
4.根據權利要求3所述的磁傳感器，其特征在于，所述非磁性非晶金屬層為CrTi及AlTi中的任一種。
5.根據權利要求4所述的磁傳感器，其特征在于，在所述非磁性非晶金屬層為CrTi的情況下，厚度為15nm以上且50nm以下的范圍。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的磁傳感器，其特征在于，在從所述軟磁體層的厚度方向觀察所述軟磁體層的情況下，所述感應元件不形成閉合磁疇。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的磁傳感器，其特征在于，其還具備非磁性的基板、和在所述基板與所述感應元件之間由硬磁體構成且在面內方向上具有磁各向異性的薄膜磁鐵，
所述感應元件具有長邊方向和短邊方向，所述長邊方向朝向所述薄膜磁鐵產生的磁場的方向。
8.根據權利要求7所述的磁傳感器，其特征在于，其還具備一對磁軛，所述一對磁軛以與所述感應元件的所述長邊方向的端部相對的方式層疊于所述薄膜磁鐵上，并且以使所述薄膜磁鐵產生的磁通量在所述長邊方向上穿過所述感應元件的方式進行誘導，
所述磁軛具備多個所述軟磁體層、和層疊于所述軟磁體層之間的非磁性非晶金屬層。
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