[發明專利]半導體芯片和包括半導體芯片的半導體裝置

在審

• 申請號: 202110973539.5
• 申請日: 2021-08-24
• 公開（公告）號: CN114388522A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 金江旻;宋承砇;殷東錫;鄭錫和
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;肖學蕊

1.一種半導體芯片，包括：

襯底；

源極結構，其設置在所述襯底上；

支承圖案，其設置在所述源極結構上，其中，所述源極結構和所述支承圖案中的每一個包括多晶硅；

電極結構，其設置在所述支承圖案上；以及

多個豎直結構，其豎直延伸穿過所述電極結構，

其中，所述電極結構包括：

下電極結構，其設置在所述支承圖案上，并且包括多個下柵電極和多個第一絕緣膜；

第二絕緣膜，其設置在所述下電極結構上；以及

上電極結構，其設置在所述第二絕緣膜上，并且包括多個上柵電極和多個第三絕緣膜，

其中，所述多個豎直結構在所述源極結構上方接觸所述源極結構。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，所述多個豎直結構中的每一個包括：

豎直半導體圖案，其接觸所述源極結構；以及

數據存儲圖案，其插入在所述豎直半導體圖案與所述電極結構之間。

3.根據權利要求2所述的半導體芯片，其中，

所述豎直半導體圖案包括形成在上端打開并且在下端閉合的杯形狀的底部和側部，并且

所述底部接觸所述源極結構。

4.根據權利要求2所述的半導體芯片，其中，所述多個豎直結構中的每一個不延伸穿過所述源極結構。

5.根據權利要求1所述的半導體芯片，還包括：

虛設豎直結構，其豎直延伸穿過所述電極結構，

其中，所述虛設豎直結構直接設置在所述支承圖案上。

6.根據權利要求5所述的半導體芯片，其中，所述虛設豎直結構不延伸穿過所述支承圖案。

7.根據權利要求5所述的半導體芯片，其中，所述虛設豎直結構具有大于所述多個豎直結構中的每一個的深度。

8.根據權利要求1所述的半導體芯片，還包括：

多個共源極插塞，其分別設置在所述電極結構的相對側處，并且接觸所述襯底，

其中，所述多個共源極插塞在預定區域中直接設置在所述支承圖案上。

9.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，所述支承圖案的蝕刻選擇性不同于所述源極結構的蝕刻選擇性。

10.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，在所述源極結構分別接觸所述多個豎直結構的區域中，所述源極結構的上表面的高度大于所述支承圖案的上表面的高度。

11.根據權利要求10所述的半導體芯片，其中，所述源極結構接觸所述多個豎直結構中的每一個中包括的豎直半導體圖案的側部和底部。

12.根據權利要求10所述的半導體芯片，其中，所述源極結構接觸設置在所述下電極結構中的最下面的層上的絕緣膜。

13.根據權利要求10所述的半導體芯片，其中，在所述源極結構分別接觸所述多個豎直結構的區域中，所述源極結構的上表面的高度低于設置在所述下電極結構中的最下面的層上的柵電極的下表面的高度。