[發(fā)明專利]帶隙基準(zhǔn)電壓源電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110973211.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113741611A | 公開(公告)日: | 2021-12-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 衛(wèi)夢(mèng)昭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州深諳微電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G05F1/567 | 分類號(hào): | G05F1/567 |
| 代理公司: | 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡純;楊思雨 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市濱江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基準(zhǔn) 電壓 電路 | ||
本申請(qǐng)公開了一種帶隙基準(zhǔn)電壓源電路,包括核心電路、信號(hào)反饋電路、前置穩(wěn)壓電路和后置穩(wěn)壓電路。其中,前置穩(wěn)壓電路構(gòu)成核心電路中的運(yùn)算放大器的外部環(huán)路,用來產(chǎn)生前置穩(wěn)壓向核心電路供電,后置穩(wěn)壓電路與核心電路以及前置穩(wěn)壓電路連接,用于根據(jù)基準(zhǔn)電壓設(shè)置偏置電壓的大小,從而可以提高電路在低功耗條件下對(duì)高頻電源噪聲的抑制能力。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。
背景技術(shù)
帶隙基準(zhǔn)廣泛應(yīng)用于A/D轉(zhuǎn)換器、D/A轉(zhuǎn)換器、存儲(chǔ)器以及功率轉(zhuǎn)換器中,作為集成電路的一個(gè)關(guān)鍵單元,它的精度對(duì)電路的整體性能起到非常重要的作用。帶隙基準(zhǔn)電壓源是通過將一個(gè)與絕對(duì)溫度成正比的電壓和兩個(gè)晶體管的基極-發(fā)射極的電壓差相加得到的一個(gè)直流電壓。一個(gè)理想的基準(zhǔn)電壓源幾乎不受溫度和電源電壓的影響。
高性能的片上基準(zhǔn)電壓的產(chǎn)生依賴于高性能的BJT(Bipolar JunctionTransistor,雙極結(jié)型晶體管),而高性能的BJT極少與先進(jìn)的CMOS工藝節(jié)點(diǎn)兼容。因此,現(xiàn)有的另一種方案通常基于襯底PNP來產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓,通過N:1的比例和運(yùn)算放大器來產(chǎn)生一個(gè)PTAT(Proportional to Absolute Temperature,正比于絕對(duì)溫度)電壓,但是受限于運(yùn)算放大器的非理想性,例如輸入失調(diào)電壓和有限的帶寬等,這種方案的初始精度和高頻電源抑制能力在低功耗設(shè)計(jì)中通常較弱。此外,BJT的β平坦度也會(huì)在集電極電流密度較低時(shí)影響基準(zhǔn)電壓的溫漂,難以產(chǎn)生高精度的基準(zhǔn)電壓。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題,本發(fā)明的目的在于提供一種帶隙基準(zhǔn)電壓源電路,有效改善了運(yùn)放輸入失調(diào)電壓和高頻電源噪聲對(duì)基準(zhǔn)電壓的輸出精度影響。
根據(jù)本發(fā)明提供了一種帶隙基準(zhǔn)電壓源電路,包括:核心電路,用于產(chǎn)生具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓;信號(hào)反饋電路,與所述核心電路中的運(yùn)算放大器構(gòu)成反饋回路;前置穩(wěn)壓電路,用于根據(jù)電源電壓向所述核心電路以及所述信號(hào)反饋電路提供偏置電壓;以及后置穩(wěn)壓電路,與所述核心電路以及前置穩(wěn)壓電路連接,用于根據(jù)所述基準(zhǔn)電壓設(shè)置所述偏置電壓的大小,以提高電路對(duì)高頻電源噪聲的抑制能力。
可選的,所述核心電路包括:運(yùn)算放大器;第一電阻,第一端與所述運(yùn)算放大器的反相輸入端連接,第二端與所述運(yùn)算放大器的正相輸入端連接;第二電阻,第二端與所述運(yùn)算放大器的反相輸入端連接,第一端用于輸出所述基準(zhǔn)電壓;第一三極管,發(fā)射極與所述運(yùn)算放大器的正相輸入端連接,集電極和基極接地;以及第一電容,其第一端與所述運(yùn)算放大器的輸出端連接,第二端接地。
可選的,所述前置穩(wěn)壓電路包括:第一晶體管,第一端與所述電源電壓連接,控制端與第二端彼此連接;第二晶體管,第一端與所述電源電壓連接,控制端與所述第一晶體管的控制端連接,以構(gòu)成電流鏡,第二端用于輸出所述偏置電壓;以及第三晶體管,第一端與所述第一晶體管的第二端連接,第二端接地,控制端與所述運(yùn)算放大器的輸出端連接。
可選的,所述前置穩(wěn)壓電路還包括:第四晶體管,第一端與所述第一晶體管的第二端連接,第二端與所述第三晶體管的第一端連接,控制端與所述第二晶體管的第二端連接,其中,所述第四晶體管用于降低所述第一晶體管對(duì)地的阻抗。
可選的,所述第一晶體管和第二晶體管分別為PMOS管,所述第三晶體管和所述第四晶體管分別為NMOS管。
可選的,所述信號(hào)反饋電路包括:第五晶體管,控制端與所述運(yùn)算放大器的輸出端連接,第二端接地;第六晶體管,第一端與所述偏置電壓連接,第二端與所述第五晶體管的第一端連接,控制端與第二端連接;第七晶體管,第一端與所述偏置電壓連接,控制端與所述第六晶體管的控制端連接,第二端與所述運(yùn)算放大器的供電端連接;以及第八晶體管,第一端與所述偏置電壓連接,控制端與所述第六晶體管的控制端連接,第二端與所述基準(zhǔn)電壓的輸出端連接。
可選的,所述第五晶體管為NMOS管,所述第六晶體管、所述第七晶體管和所述第八晶體管分別為PMOS管。
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