[發明專利]用于交錯互連線的過孔連接

在審

• 申請號: 202110972819.4
• 申請日: 2021-08-24
• 公開（公告）號: CN114256197A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: C·J·杰澤斯基;K·L·林
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝

公開了用于交錯互連線的過孔連接。一種互連結構包括第一多個互連以及第二多個互連，其中，第一多個互連和第二多個互連交錯，使得第二多個互連中的單個互連相對于第一多個互連中的單個互連橫向偏移。互連結構還包括將第一多個互連中的單個互連耦合到第二多個互連中的單個互連的過孔。

技術領域

本公開的實施例涉及交錯互連線，特別地，涉及用于交錯互連線的過孔連接。

背景技術

在各種互連技術中，作為改進總體性能的手段，在結構之間使用低k層間電介質(ILD)和氣隙，以便減小線間電容(line-to-line capacitance)。使用低k ILD的互連結構在線間電容的改進與圖案化能力和機械穩定性的降低之間進行折衷，并且因此可能難以集成。對于銅層，氣隙的使用需要中等k蝕刻停止部，以對銅進行氣密密封，并且防止其氧化。然而，該蝕刻停止材料填充互連線之間的空間，并且降低了總體電容收益。

附圖說明

圖1示出了根據先前方案的互連結構。

圖2A示出了根據實施例的交錯線互連結構。

圖2B示出了根據實施例的包括交錯線和交錯線中的氣隙的互連結構。

圖2C示出了根據實施例的包括交錯線的互連結構，其中在每個交錯線中具有氣隙。

圖3A示出了根據先前方案的過孔連接。

圖3B示出了根據實施例的過孔連接。

圖3C和圖3D示出了根據實施例的過孔連接。

圖4A-圖4K示出了根據實施例的在互連結構的制造期間的各個階段處的互連結構的截面圖。

圖5A-圖5D示出了根據實施例的在互連結構的制造期間的各個階段處的互連結構的截面圖。

圖6示出了根據實施例的互連結構的截面圖。

圖7A-圖7L示出了根據實施例的在互連結構的制造期間的各個階段處的互連結構的截面圖。

圖8A-圖8M示出了根據實施例的互連結構的不同架構。

圖9示出了根據實施例的用于形成互連結構的方法的流程圖。

圖10示出了根據實施例的計算機系統的示意圖。

圖11示出了包括實施例的一個或多個實施方式的內插器。

具體實施方式

描述了用于交錯互連線的過孔連接。應當理解，盡管本文參考示例性交錯互連線實施方式描述了實施例，但是本公開更一般地適用于交錯互連線實施方式以及其他類型的交錯互連線實施方式。在以下描述中，闡述了很多具體細節，例如，具體的集成和材料體系，以便提供對本公開的實施例的透徹理解。對本領域技術人員將顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節的情況下實踐本公開的實施例。在其他實例中，沒有詳細描述公知特征，例如，集成電路設計布局，以避免不必要地使本公開的實施例難以理解。此外，應當理解，附圖中所示的各種實施例是說明性表示，并且不一定是按比例繪制的。

某些術語也可以用于以下描述中，以僅用于參考的目的，并且因此不旨在限制。例如，諸如“上部”、“下部”、“上方”和“下方”的術語是指所參考的附圖中的方向。諸如“正面”、“背面”、“后面”和“側面”的術語描述了部件的部分在一致但任意的參照系內的取向和/或位置，通過參考描述所討論的部件的文本和相關聯的附圖，這是清楚的。此類術語可以包括上面具體提及的詞語、其衍生詞以及類似含義的詞語。