[發明專利]半導體裝置及其形成方法

在審

• 申請號: 202110971798.4
• 申請日: 2021-08-24
• 公開（公告）號: CN114093925A
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: B·W·文;J·M·具
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體裝置，包括：

基板，其具有源極區域和漏極區域；

柵極，其設置在該基板上并位于該源極區域和該漏極區域之間；

第一層間介電(ILD)層，其至少部分地設置在該基板和該柵極上方；

導電場板，其設置在該第一層間介電層上方；

至少一個漏極觸點，其延伸穿過該漏極區域上方的該第一層間介電層并耦合該導電場板；

漏極捕獲結構，其設置在該第一層間介電層中并鄰接該漏極區域，該漏極捕獲結構具有包括氣隙的溝槽，其中，該漏極捕獲結構與該柵極的側壁橫向隔開。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，該氣隙圍繞該至少一個漏極觸點。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中，該漏極捕獲結構包括第一環形屏障和第二環形屏障以限定該溝槽，該第一環形屏障和該第二環形屏障中的每一個圍繞該至少一個漏極觸點。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中，該第一環形屏障通過介電材料與該至少一個漏極觸點分離。

5.根據權利要求2所述的裝置，其中，該第一環形屏障和該第二環形屏障以及該至少一個漏極觸點由相同的導電材料形成。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中，該基板還包括第二源極區域，且還包括設置于該基板上方且位于該第二源極區域與該漏極區域之間的第二柵極。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中，該導電場板包括由板開口分隔的第一板部分和第二板部分。

8.根據權利要求7所述的裝置，還包括設置在該導電場板上方的第二層間介電層，其中，該板開口包括該第二層間介電層的介電材料的密封部分，以密封該漏極捕獲結構中的空氣。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中，該漏極區域部分地在該漏極捕獲結構下方重疊。

10.根據權利要求1所述的裝置，還包括主體阱、阱連接和設置在該基板中的漂移阱，其中，該主體阱包圍該源極區域和該阱連接，并至少部分地延伸至該柵極的第一部分下方，且該漂移阱圍繞該漏極區域并至少部分地延伸至該柵極的第二部分下方。

11.根據權利要求10所述的裝置，其中，該主體阱緊靠該漂移阱。

12.一種形成半導體裝置的方法，包括：

提供具有源極區域和漏極區域的基板，設置在該基板上方并位于該源極區域和該漏極區域之間的柵極，和至少部分地設置在該基板和該柵極上方的第一層間介電(ILD)層；

形成延伸穿過位于該漏極區域上方的該第一層間介電層的至少一個漏極觸點；

在該第一層間介電層上方形成導電場板；以及

形成漏極捕獲結構在該第一層間介電層中并鄰接該漏極區域，該漏極捕獲結構具有包括氣隙的溝槽，其中，該漏極捕獲結構與該柵極的側壁橫向隔開。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，該氣隙圍繞該至少一個漏極觸點。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，該漏極捕獲結構包括第一環形屏障和第二環形屏障以限定該溝槽，該第一環形屏障和該第二環形屏障中的每一個圍繞該至少一個漏極觸點。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，該第一環形屏障通過介電材料與該至少一個漏極觸點分離。

16.根據權利要求13所述的方法，其中，該第一環形屏障和該第二環形屏障以及該至少一個漏極觸點由相同的導電材料形成。