[發明專利]一種晶圓平面的校正裝置在審
| 申請號: | 202110967595.8 | 申請日: | 2021-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN113707589A | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發明(設計)人: | 黃海榮;謝柏弘 | 申請(專利權)人: | 深圳遠榮半導體設備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 深圳市添源知識產權代理事務所(普通合伙) 44451 | 代理人: | 周椿 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 平面 校正 裝置 | ||
1.一種晶圓平面的校正裝置,其特征在于,包括上環模組、下環模組、限高導柱、舉升驅動機構、模組夾緊機構,所述上環模組和下環模組的外圈均勻設置有多組舉升驅動機構,所述舉升驅動機構的一端連接上環模組、其另一端連接下環模組,所述模組夾緊機構連接下環模組并位于舉升驅動機構下方,所述限位導柱一端固定連接在上環模組、其另一端依次穿過舉升驅動機構和模組夾緊機構,校正操作時所述舉升驅動機構帶動上環模組向上頂升,到達指定高度后所述模組夾緊機構夾住限高導柱,校正結束所述上環模組下降復位。
2.根據權利要求1所述晶圓平面的校正裝置,其特征在于,所述舉升驅動機構包括舉升進氣頭、第一舉升塊、第二舉升塊、緩沖塊,所述第一舉升塊固定連接上環模組,所述第二舉升塊固定連接下環模組,所述第一舉升塊和第二舉升塊連接并構成充氣缸體,所述舉升進氣頭連接充氣缸體,所述緩沖塊連接在第一舉升塊和第二舉升塊之間,校正操作時所述充氣缸體通過舉升進氣頭充氣使第一舉升塊相對于第二舉升塊向上頂起。
3.根據權利要求2所述晶圓平面的校正裝置,其特征在于,所述緩沖塊為低阻尼的緩沖結構或空氣彈簧。
4.根據權利要求2所述晶圓平面的校正裝置,其特征在于,所述舉升驅動機構包括第一感應器、第二感應器、感應體,所述第一舉升塊、第二舉升塊上均設有感應器槽位,所述第一感應器設置在第一舉升塊的感應槽位內,所述第二感應器設置在第二舉升塊的感應槽位內,所述感應體設置在充氣缸體內,校正操作時所述感應體隨氣壓增加向上升起至與第一感應器發生感應,下降復位時所述感應體隨氣壓減少向下降落至與第二感應器發生感應。
5.根據權利要求4所述晶圓平面的校正裝置,其特征在于,所述感應體為磁性塊,所述第一感應器和第二感應器均為磁傳感器。
6.根據權利要求1所述晶圓平面的校正裝置,其特征在于,包括垂直導向機構,所述上環模組和下環模組的外圈均勻設置有多組垂直導向機構,所述垂直導向機構的兩端分別連接上環模組和下環模組,所述上環模組沿著垂直導向機構的軌跡向上頂升或向下降落復位。
7.根據權利要求6所述晶圓平面的校正裝置,其特征在于,所述垂直導向機構包括垂直導軌、導輪、導向塊,所述垂直導軌連接在上環模組的側面,所述導向塊連接在下環模組的側面,所述導輪滑動連接在導向塊的末端,所述導輪與垂直導軌滾動連接。
8.根據權利要求1所述晶圓平面的校正裝置,其特征在于,所述模組夾緊機構包括第一夾片、第二夾片、充氣頭,所述第一夾片、第二夾片分別連接充氣頭,校正移動到指定高度后往所述充氣頭里充氣使第一夾片和第二夾片夾緊限高導柱。
9.根據權利要求8所述晶圓平面的校正裝置,其特征在于,所述第一夾片和第二夾片均為金屬片。
10.根據權利要求1所述晶圓平面的校正裝置,其特征在于,包括微調組件,所述微調組件包括微調螺栓、微調彈簧,所述上環模組設有微調孔,所述微調彈簧套在微調螺栓的外部,所述微調螺栓和微調彈簧均穿過微調孔并且微調螺栓的一端與下環模組螺紋連接,所述微調彈簧一端頂住微調螺栓的螺帽處、其另一端頂住下環模組的外壁。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





