[發明專利]存儲器裝置

在審

• 申請號: 202110966715.2
• 申請日: 2021-08-23
• 公開（公告）號: CN114256249A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 金成鎮;權俊秀;金完東
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 沈照千;田野

提供了一種存儲器裝置。所述存儲器裝置包括：單元區域，在單元區域中設置有存儲器塊，每個存儲器塊包括堆疊在基底上的字線和穿透字線的溝道結構；以及外圍電路區域，包括外圍電路，外圍電路對每個存儲器塊作為單位執行刪除數據的擦除操作。外圍電路在擦除操作中基于目標存儲器塊的位置、目標存儲器塊中包括的每條字線的高度和每個溝道結構的輪廓中的至少一者，來控制向要刪除數據的目標存儲器塊中包括的每條字線施加的電壓。

本申請要求于2020年9月22日在韓國知識產權局提交的第10-2020-0122198號韓國專利申請的優先權的權益，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

本發明構思涉及一種存儲器裝置。

背景技術

存儲器裝置可以提供寫入數據和擦除數據或者讀取記錄的數據的功能。為了準確地讀取寫入存儲器裝置的數據，需要根據寫入每個存儲器單元的數據適當地控制閾值電壓分布。當在擦除記錄的數據的擦除操作之后沒有適當地控制存儲器單元的閾值電壓分布時，在編程操作之后存儲器單元的閾值電壓分布也會劣化，并且存儲器裝置的性能會劣化。

發明內容

本發明構思的技術思想之一是通過在擦除操作中控制輸入到與存儲器單元和/或存儲器塊連接的字線的電壓來使存儲器單元在擦除操作之后的閾值電壓分布的變化最小化，并且改善存儲器裝置的性能。

根據本發明構思的實施例，存儲器裝置包括：單元區域，在單元區域中設置有多個存儲器塊，所述多個存儲器塊中的每個包括多個存儲器單元；以及外圍電路區域，包括外圍電路，外圍電路對所述多個存儲器塊中的每個作為單位執行擦除操作。所述多個存儲器塊中的每個包括堆疊在基底上的多條字線、在與基底的上表面垂直的第一方向上延伸并且穿透所述多條字線的多個溝道結構以及形成在基底中并且連接到所述多個溝道結構的源極區域。外圍電路向包括在所述多個存儲器塊中的至少一個存儲器塊中的源極區域施加擦除電壓，在第一時間點將第一字線的電壓從第一偏置電壓改變為第二偏置電壓，并且在與第一時間點不同的第二時間點將與第一字線不同的第二字線的電壓從第一偏置電壓改變為第二偏置電壓，第一字線設置在所述多個存儲器塊中的所述至少一個存儲器塊中的一個存儲器塊中，第二字線設置在所述多個存儲器塊中的所述至少一個存儲器塊中的一個存儲器塊中。

根據本發明構思的實施例，存儲器裝置包括：單元區域，在單元區域中設置有多個存儲器塊，所述多個存儲器塊中的每個包括堆疊在基底上的多條字線以及穿透所述多條字線的多個溝道結構；以及外圍電路區域，包括外圍電路，外圍電路被配置為對所述多個存儲器塊中的每個作為單位執行刪除數據的擦除操作。外圍電路被配置為：在擦除操作中，基于目標存儲器塊的位置、目標存儲器塊中包括的多條字線中的每條字線的高度和所述多個溝道結構中的每個溝道結構的輪廓中的至少一者，來控制向所述多個存儲器塊之中的要刪除數據的目標存儲器塊中包括的多條字線中的每條字線施加的電壓。

根據本發明構思的實施例，存儲器裝置包括：第一存儲器平面和第二存儲器平面，第一存儲器平面和第二存儲器平面中的每個包括第一存儲器塊和第二存儲器塊；第一外圍電路，包括連接到第一存儲器平面的第一頁緩沖器、第一行解碼器和第一字線電壓產生器；以及第二外圍電路，包括連接到第二存儲器平面的第二頁緩沖器、第二行解碼器和第二字線電壓產生器，其中，第一字線電壓產生器和第二字線電壓產生器中的每個被配置為在第一存儲器塊的擦除操作和第二存儲器塊的擦除操作中不同地控制字線電壓。

附圖說明

根據下面結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解本公開的以上和其他方面、特征及優點，在附圖中：

圖1是示意性示出根據本發明構思的示例實施例的存儲器裝置的圖；

圖2和圖3是示意性示出根據本發明構思的示例實施例的存儲器裝置的圖；

圖4是提供用于描述根據本發明構思的示例實施例的存儲器裝置的操作的圖；

圖5是示意性示出根據本發明構思的示例實施例的存儲器裝置的框圖；