[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110966715.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114256249A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金成鎮(zhèn);權(quán)俊秀;金完?yáng)| | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/11519 | 分類號(hào): | H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 沈照千;田野 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ)器 裝置 | ||
1.一種存儲(chǔ)器裝置,所述存儲(chǔ)器裝置包括:
單元區(qū)域,在單元區(qū)域中設(shè)置有多個(gè)存儲(chǔ)器塊,所述多個(gè)存儲(chǔ)器塊中的每個(gè)包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元;以及
外圍電路區(qū)域,包括外圍電路,外圍電路被配置為對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)器塊中的每個(gè)作為單位執(zhí)行擦除操作,
其中,所述多個(gè)存儲(chǔ)器塊中的每個(gè)包括堆疊在基底上的多條字線、在與基底的上表面垂直的第一方向上延伸并且穿透所述多條字線的多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)以及形成在基底中并且連接到所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)的源極區(qū)域,并且
其中,外圍電路被配置為:向包括在所述多個(gè)存儲(chǔ)器塊中的至少一個(gè)存儲(chǔ)器塊中的源極區(qū)域施加擦除電壓;在第一時(shí)間點(diǎn)將第一字線的電壓從第一偏置電壓改變?yōu)榈诙秒妷海谝蛔志€設(shè)置在所述多個(gè)存儲(chǔ)器塊中的所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器塊中的一個(gè)存儲(chǔ)器塊中;并且在與第一時(shí)間點(diǎn)不同的第二時(shí)間點(diǎn)將與第一字線不同的第二字線的電壓從第一偏置電壓改變?yōu)榈诙秒妷海诙志€設(shè)置在所述多個(gè)存儲(chǔ)器塊中的所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器塊中的一個(gè)存儲(chǔ)器塊中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置,
其中,第一字線和第二字線包括在所述多個(gè)存儲(chǔ)器塊之中的同一存儲(chǔ)器塊中,并且設(shè)置在距基底不同的高度處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器裝置,
其中,第一字線與基底的上表面之間的距離比第二字線與基底的上表面之間的距離短,并且
其中,第二時(shí)間點(diǎn)比第一時(shí)間點(diǎn)晚。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置,
其中,所述多個(gè)存儲(chǔ)器塊設(shè)置在第一存儲(chǔ)器平面的單元區(qū)域和第二存儲(chǔ)器平面的單元區(qū)域中,并且
其中,第一存儲(chǔ)器平面和第二存儲(chǔ)器平面中的每個(gè)包括在與基底的上表面平行的方向上設(shè)置在不同位置處的第一存儲(chǔ)器塊和第二存儲(chǔ)器塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置,
其中,第一字線包括在第一存儲(chǔ)器平面的第一存儲(chǔ)器塊中,并且
其中,第二字線包括在第一存儲(chǔ)器平面的第二存儲(chǔ)器塊中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器裝置,
其中,第一存儲(chǔ)器平面的第一存儲(chǔ)器塊設(shè)置得比第一存儲(chǔ)器平面的第二存儲(chǔ)器塊靠近第一存儲(chǔ)器平面的邊緣,第一存儲(chǔ)器平面的所述邊緣在第一字線延伸的方向上延伸,
其中,第一字線和第二字線設(shè)置在距基底的上表面相同的高度處,并且
其中,第一時(shí)間點(diǎn)比第二時(shí)間點(diǎn)早。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置,
其中,第一字線包括在第一存儲(chǔ)器平面的第一存儲(chǔ)器塊和第二存儲(chǔ)器塊中的一者中,并且
其中,第二字線包括在第二存儲(chǔ)器平面的第一存儲(chǔ)器塊和第二存儲(chǔ)器塊中的一者中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置,
其中,外圍電路被配置為同時(shí)執(zhí)行用于第一存儲(chǔ)器平面的第一存儲(chǔ)器塊和第二存儲(chǔ)器塊中的一者的擦除操作和用于第二存儲(chǔ)器平面的第一存儲(chǔ)器塊和第二存儲(chǔ)器塊中的一者的擦除操作。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置,
其中,外圍電路包括第一存儲(chǔ)器平面中的第一外圍電路和第二存儲(chǔ)器平面中的第二外圍電路,第一外圍電路具有第一頁(yè)緩沖器、第一行解碼器和第一字線電壓產(chǎn)生器,第二外圍電路具有第二頁(yè)緩沖器、第二行解碼器和第二字線電壓產(chǎn)生器。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置,
其中,第一字線和第二字線設(shè)置在距基底的上表面相同的高度處。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置,
其中,向源極區(qū)域施加擦除電壓的擦除時(shí)間包括擦除電壓增加的轉(zhuǎn)變時(shí)段和擦除電壓保持為恒定電平的保持時(shí)段,并且
其中,第一時(shí)間點(diǎn)和第二時(shí)間點(diǎn)屬于保持時(shí)段。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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