[發明專利]一種內存芯片及其優化設計方法

有效

• 申請號: 202110962477.8
• 申請日: 2021-08-20
• 公開（公告）號: CN113742905B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 張毅軍;梁磊
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 侯珊

本發明公開了一種內存芯片及其優化設計方法，基于內存芯片的原結構模型，對控制器與多個內存顆粒之間的傳輸線上的第一信號進行仿真，得到表征第一信號質量的第一仿真結果；基于內存芯片的新結構模型，對傳輸線上的第二信號進行仿真，得到表征第二信號質量的第二仿真結果；其中，新結構模型是在原結構模型的基礎上增設用于調節傳輸線上的信號的調節元件；判斷第二信號質量是否優于第一信號質量；若是，則將調節元件接入內存芯片的實際原結構中；若否，則調整調節元件的元件值，并返回仿真步驟。可見，本申請無需改變內存顆粒的數量及控制器的驅動能力，而是通過增設調節元件來改善控制器與內存顆粒間的信號質量，從而保證了內存芯片的性能。

技術領域

本發明涉及存儲領域，特別是涉及一種內存芯片及其優化設計方法。

背景技術

隨著電子產品處理的程序越來越復雜，對于程序運行時所需要的系統運行內存的容量要求也越來越高。為了滿足內存容量要求，會在內存芯片的硬件設計中增加更多的內存顆粒，但內存顆粒的增多會加重信號在不同內存顆粒之間的多重反射效應(這是因為內存芯片包括控制器和內存顆粒，控制器通過向內存顆粒輸出控制信號來控制內存顆粒實現相應存取功能，因控制器和多個內存顆粒之間的阻抗不連續，導致信號在不同內存顆粒之間會出現多重反射效應，而內存顆粒越多，控制器和內存顆粒之間的阻抗連續性越差，信號在不同內存顆粒之間的多重反射效應越嚴重)，導致內存控制器與內存顆粒間的信號質量較差，影響內存芯片的性能。

目前，通常采用以下兩種方案提升內存控制器與內存顆粒間的信號質量：

1)通過減少內存顆粒的增加數量來減緩多內存顆粒產生的多重反射效應，從而提升內存控制器與內存顆粒間的信號質量。但是，內存顆粒的減少會導致內存芯片的容量及并行帶寬減少，從而導致內存芯片的性能降低。

2)由于內存控制器的驅動能力越強，多內存顆粒產生的多重反射效應越嚴重，所以通過降低內存控制器的驅動能力來減緩多內存顆粒產生的多重反射效應，從而提升內存控制器與內存顆粒間的信號質量。但是，內存控制器的驅動能力過低又會導致控制器輸出信號的電壓值不滿足要求，從而很難兼顧多方面的性能要求。

因此，如何提供一種解決上述技術問題的方案是本領域的技術人員目前需要解決的問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種內存芯片及其優化設計方法，無需改變內存顆粒的數量及內存控制器的驅動能力，而是通過增設調節元件來改善內存控制器與內存顆粒間的信號質量，從而保證了內存芯片的性能。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種內存芯片的優化設計方法，應用于包含控制器和多個內存顆粒的內存芯片，包括：

基于所述內存芯片的原結構模型，對所述控制器與所述多個內存顆粒之間的傳輸線上的第一信號進行仿真，得到表征所述第一信號質量的第一仿真結果；

基于所述內存芯片的新結構模型，對所述傳輸線上的第二信號進行仿真，得到表征所述第二信號質量的第二仿真結果；其中，所述新結構模型是在所述原結構模型的基礎上增設用于調節所述傳輸線上信號的調節元件；

判斷所述第二信號質量是否優于所述第一信號質量；

若是，則將所述調節元件接入所述內存芯片的實際原結構中，以優化所述傳輸線上的信號質量；

若否，則調整所述調節元件的元件值，并返回執行基于所述內存芯片的新結構模型，對所述傳輸線上的第二信號進行仿真的步驟，直至所述第二信號質量優于所述第一信號質量。

優選地，基于所述內存芯片的當前結構模型，對所述控制器與所述多個內存顆粒之間的傳輸線上的當前信號進行仿真，得到表征所述當前信號質量的仿真結果，包括：

基于所述內存芯片的當前結構模型，建立包含所述控制器與所述多個內存顆粒之間傳輸線的當前線參數的參數文件；