[發明專利]光刻膠去除設備及光刻膠去除方法

在審

• 申請號: 202110958882.2
• 申請日: 2021-08-20
• 公開（公告）號: CN113687575A
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 邢程;朱振華
• 申請（專利權）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

本發明提供了一種光刻膠去除設備及光刻膠去除方法。所述光刻膠去除設備，用于去除晶圓邊緣處光刻膠，其特征在于，包括用于噴射清洗溶液的噴嘴：所述噴嘴的角度能夠調整，使清洗溶液的噴射方向從晶圓的邊緣向中心移動；所述噴嘴的噴射速度能夠調整；所述噴嘴的噴射范圍能夠調整。本發明通過設置可調節噴嘴，改變清洗溶液的噴射角度、噴射方向、噴射速度和噴射范圍，解決了晶圓邊緣處的光刻膠及光刻膠底部填充層堆積的問題，解決了晶圓減薄后低凹處殘留的光刻膠及光刻膠底部填充層難以去除的問題。

技術領域

本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種光刻膠去除設備及光刻膠去除方法。

背景技術

在光刻膠旋涂的過程中，多余的光刻膠會被離心力推到晶圓的邊緣，其中大部分被甩離晶圓，但仍有一部分多余的光刻膠殘留在晶圓邊緣。由于晶圓邊緣氣流相對速度很大，導致殘留的膠很快固化，形成隆起的邊緣。在表面張力的作用下，少量的膠甚至沿著邊緣流到晶圓背面，對晶圓背面造成污染，如附圖1所示，在晶圓襯底10表面旋涂光刻膠，所述晶圓襯底10表面的中部為均勻的光刻膠層11，所述均勻的光刻膠層11的周圍存在邊緣處光刻膠堆積12，部分光刻膠沿著邊緣流到晶圓背面。且邊緣處光刻膠堆積12容易發生剝離而影響其他部分的圖形，或者造成污染，需要在旋涂結束后立即去除。

在現有技術中，現有的光刻膠去除設備清洗溶液的噴射角度都是從晶圓的圓心往邊緣移動，由于在清洗溶液和光刻膠、或者清洗溶液和光刻膠底部填充層的接觸面有個作用力，導致有一部分光刻膠或光刻膠底部填充層堆積并且無法被清洗溶液去除。影響后續工藝進程。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是去除晶圓邊緣處的光刻膠堆積，提供一種光刻膠去除設備及光刻膠去除方法。

為了解決上述問題，本發明提供了一種光刻膠去除設備，用于去除晶圓邊緣處光刻膠，其特征在于，包括用于噴射清洗溶液的噴嘴：所述噴嘴的角度能夠調整，使清洗溶液的噴射方向從晶圓的邊緣向中心移動；所述噴嘴的噴射速度能夠調整；所述噴嘴的噴射范圍能夠調整。

為了解決上述問題，本發明提供了一種光刻膠去除方法，采用光刻膠去除設備去除晶圓邊緣處的光刻膠，所述光刻膠去除設備包括用于噴射清洗溶液的噴嘴：所述噴嘴的角度能夠調整，使清洗溶液的噴射方向從晶圓的邊緣向中心移動；所述噴嘴的噴射速度能夠調整；所述噴嘴的噴射范圍能夠調整。

本發明通過設置可調節噴嘴，改變清洗溶液的噴射角度、噴射方向、噴射速度和噴射范圍，解決了晶圓邊緣處的光刻膠及光刻膠底部填充層堆積的問題，解決了晶圓減薄后低凹處殘留的光刻膠及光刻膠底部填充層難以去除的問題。

附圖說明

附圖1所示為背景技術中所述光刻膠堆積示意圖。

附圖2所示為本發明一具體實施方式所述光刻膠去除設備示意圖。

附圖3所示為本發明一具體實施方式所述光刻膠去除設備去除晶圓邊緣光刻膠堆積示意圖。

附圖4所示為本發明一具體實施方式所述光刻膠去除設備去除晶圓邊緣光刻膠堆積及晶圓減薄后低凹處殘留的光刻膠示意圖。

附圖5所示為本發明一具體實施方式所述光刻膠去除設備去除晶圓邊緣光刻膠及光刻膠底部填充層示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明提供的光刻膠去除設備及光刻膠去除方法的具體實施方式做詳細說明。