[發(fā)明專利]一種異位反應Cr6+ 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110954816.8 | 申請日: | 2021-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN113578384B | 公開(公告)日: | 2023-07-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 逯子揚;周國生;于澤惠;宋旼珊;劉馨琳;徐陽銳;顏歡;王盼盼 | 申請(專利權)人: | 江蘇大學 |
| 主分類號: | B01J31/06 | 分類號: | B01J31/06;C02F1/30;C02F1/70;C02F1/72;C02F101/22;C02F101/34;C02F101/38 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 212013 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 反應 cr base sup | ||
1.一種異位反應Cr6+離子印跡光催化膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1:HTNW的合成;首先,將P25添加到NaOH溶液中,超聲處理,以實現(xiàn)均勻分散,得到懸浮液,轉移到聚四氟乙烯內(nèi)襯高壓釜中,反應后所得產(chǎn)物用HCl溶液和去離子水清洗至中性;洗滌后,通過真空干燥即可得到白色粉末,即為HTNW;
步驟2:IM-CdS的合成;首先,將CdS分散在丙酮中,并在室溫下超聲處理,得到分散液標記為溶液A;然后,將K2Cr2O7溶解在丙酮和去離子水混合溶液中,再加入功能單體4-乙烯基吡啶,攪拌條件下進行預聚合反應,反應后添加交聯(lián)劑二甲基丙烯酸乙二醇酯和引發(fā)劑偶氮二異丁腈,得到的溶液標記為溶液B;
將溶液A和溶液B混合后進行微波聚合,聚合反應后,通過離心收集沉淀物,并分別用去離子水和無水乙醇進行洗滌;隨后再用NaOH溶液進行洗脫,直至無法檢測到Cr6+時停止洗脫;最后,使用去離子水清洗直到中性,經(jīng)真空干燥得到最終產(chǎn)物,即為IM-CdS;
步驟3:IM-Cd/HT膜的合成;首先,將步驟1得到的HTNW和步驟2得到的IM-CdS加入去離子水中,在室溫下進行超聲處理,得到混合溶液并在濾膜上真空抽濾,待水分抽干后加入聚乙烯醇溶液繼續(xù)抽濾;隨后得到淺黃色膜,從濾膜上剝離,并通過真空干燥得到的產(chǎn)物即為IM-Cd/HT膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種異位反應Cr6+離子印跡光催化膜的制備方法,其特征在于,步驟1中,所述的NaOH溶液濃度為10mol/L;P25和NaOH溶液的用量比為0.5g:60mL;HCl溶液濃度為0.1mol/L。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種異位反應Cr6+離子印跡光催化膜的制備方法,其特征在于,步驟1中,所述高壓釜中反應的溫度為180℃,反應的時間為48h。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種異位反應Cr6+離子印跡光催化膜的制備方法,其特征在于,步驟2中,所述溶液A中CdS和丙酮的用量比為0.4g:30mL;溶液B中K2Cr2O7、丙酮、去離子水、4-乙烯基吡啶、二甲基丙烯酸乙二醇酯和偶氮二異丁腈的用量比為0.194g:30mL:20mL:1.05mL:1.9mL:0.08g;溶液A和溶液B混合時的體積比為30mL:53mL;所述NaOH溶液的濃度為0.2mol/L。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種異位反應Cr6+離子印跡光催化膜的制備方法,其特征在于,步驟2中,所述預聚合時攪拌轉速為600rpm/min,反應的時間為1h。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種異位反應Cr6+離子印跡光催化膜的制備方法,其特征在于,步驟2中,所述微波聚合反應的溫度為70℃,功率為800W,反應的時間為2h;所述離心的轉速為3500rpm/min,時間為5min。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種異位反應Cr6+離子印跡光催化膜的制備方法,其特征在于,步驟3中,所述HTNW、IM-CdS、去離子水和聚乙烯醇溶液的用量比為0.3g:0.15g:20mL:2mL;聚乙烯醇溶液濃度為0.5wt%。
8.根據(jù)權利要求1所述的一種異位反應Cr6+離子印跡光催化膜的制備方法,其特征在于,步驟3中,所述真空抽濾壓力值為-0.1bar;濾膜孔徑為0.45μm。
9.根據(jù)權利要求1所述的一種異位反應Cr6+離子印跡光催化膜的制備方法,其特征在于,步驟1-3中,所述超聲處理的時間均為10min;所述真空干燥的溫度均為60℃,烘干時間均為12h。
10.根據(jù)權利要求1-9任一項所述的方法制備的異位反應Cr6+離子印跡光催化膜用于在污染物中優(yōu)先選擇性還原Cr6+并協(xié)同光催化降解四環(huán)素的用途。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇大學,未經(jīng)江蘇大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110954816.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- <100>N<SUP>-</SUP>/N<SUP>+</SUP>/P<SUP>+</SUP>網(wǎng)狀埋層擴散拋光片
- 零50電力L<SUP>2</SUP>C<SUP>2</SUP>專用接口<SUP></SUP>
- 高保真打印輸出L<SUP>*</SUP>a<SUP>*</SUP>b<SUP>*</SUP>圖像的方法
- 在硅晶片上制備n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup>型或p<sup>+</sup>nn<sup>+</sup>型結構的方法
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd聯(lián)合提取裝置
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd聯(lián)合提取裝置
- <sup>182</sup>Hf/<sup>180</sup>Hf的測定方法
- 五環(huán)[5.4.0.0<sup>2</sup>,<sup>6</sup>.0<sup>3</sup>,<sup>10</sup>.0<sup>5</sup>,<sup>9</sup>]十一烷二聚體的合成方法
- 含煙包裝袋中Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、NH<sub>4</sub><sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Mg<sup>2+</sup>、Ca<sup>2+</sup>離子的含量測定方法
- <base:Sup>68





