[發明專利]化合物半導體元件及化合物半導體裝置

在審

• 申請號: 202110954336.1
• 申請日: 2021-08-19
• 公開（公告）號: CN114078993A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 梁皓鈞;楊偉善;詹耀寧;陳怡名;李世昌
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種化合物半導體元件及化合物半導體裝置，其中該化合物半導體元件包括有源結構、半導體接觸層、電極、絕緣層、第一開口、以及第二開口。有源結構具有第一導電型半導體層、第二導電型半導體層、以及有源層位于第一導電型半導體層及第二導電型半導體層之間。半導體接觸層位于第二導電型半導體層上且具有第一開口。電極具有一上表面，且電極完全覆蓋半導體接觸層。絕緣層覆蓋電極及有源結構且具有第二開口。第二導電型半導體層自第一開口露出。電極自第二開口露出。

技術領域

本發明涉及一種化合物半導體元件，特別是涉及一種具有半導體接觸層的化合物半導體元件。

背景技術

隨著科技的發展，化合物半導體材料已可被制造成各種化合物半導體元件，并廣泛應用于照明、醫療、顯示、通訊、感測、電源系統等領域。舉例來說，包含三族及五族元素的化合物半導體材料可應用于光電半導體元件如發光二極管(Light emitting diode，LED)。

發明內容

本發明提供一種化合物半導體元件，包括有源結構、半導體接觸層、電極、絕緣層、第一開口、以及第二開口。有源結構具有第一導電型半導體層、第二導電型半導體層、以及有源層位于第一導電型半導體層及第二導電型半導體層之間。半導體接觸層位于第二導電型半導體層上且具有第一開口。電極具有一上表面，且完全覆蓋半導體接觸層。絕緣層覆蓋電極及有源結構且具有第二開口。第二導電型半導體層自第一開口露出。電極自第二開口露出，該第一開口的邊界與該第二開口的邊界在水平方向上相隔一距離。

本發明提供一種化合物半導體裝置，包括化合物半導體元件以及焊接線。化合物半導體元件包括有源結構、半導體接觸層、電極、絕緣層、第一開口、以及第二開口。有源結構具有第一導電型半導體層、第二導電型半導體層、以及有源層位于第一導電型半導體層及第二導電型半導體層之間。半導體接觸層位于第二導電型半導體層上且具有一第一開口。電極具有一上表面，且電極完全覆蓋半導體接觸層。絕緣層覆蓋電極及有源結構且具有一第二開口。焊接線接合至電極，且焊接線與電極的接合處具有一接合寬度。第二導電型半導體層自第一開口露出。電極自第二開口露出。在化合物半導體元件的一剖面觀之，第二開口的寬度大于接合寬度。

附圖說明

圖1A為剖面示意圖，顯示符合本發明的化合物半導體元件的一實施例；

圖1B為圖1A的局部放大圖；其中圖1B的上方圖為上視示意圖，圖1B的下方圖為沿剖面線AA’的剖面示意圖；

圖2A為剖面示意圖，顯示符合本發明的化合物半導體元件的一實施例；

圖2B為圖2A的局部放大圖；其中圖2B的上方圖為上視示意圖，圖2B的下方圖為沿剖面線BB’的剖面示意圖；

圖3A及圖3B為上視示意圖，顯示符合本發明的半導體接觸層及第一電極的實施例；

圖4為剖面示意圖，顯示符合本發明的化合物半導體裝置的一實施例。

符號說明

10 化合物半導體元件

11、11’ 區域

100 基板

102 中間層

103 有源(主動)結構

103a 第一導電型半導體層

103b 有源層

103c 第二導電型半導體層

103c1 平臺部

103c2 凸部

104 半導體接觸層

104a 內邊界

104b 外邊界