[發(fā)明專利]化合物半導(dǎo)體元件及化合物半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110954336.1
• 申請(qǐng)日: 2021-08-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114078993A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁皓鈞;楊偉善;詹耀寧;陳怡名;李世昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種化合物半導(dǎo)體元件，包括：

有源結(jié)構(gòu)，具有第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及位于該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層；

半導(dǎo)體接觸層，位于該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上且具有第一開(kāi)口；

電極，具有上表面，完全覆蓋該半導(dǎo)體接觸層；以及

絕緣層，覆蓋該電極及該有源結(jié)構(gòu)且具有第二開(kāi)口；

其中，該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層自該第一開(kāi)口露出，該電極自該第二開(kāi)口露出，該第一開(kāi)口的邊界與該第二開(kāi)口的邊界在水平方向上相隔一距離。

2.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體元件，其中，自該化合物半導(dǎo)體元件的上視觀之，該第二開(kāi)口完全位于該第一開(kāi)口內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體元件，其中，該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層具有凸部，該電極位于該凸部上。

4.如權(quán)利要求3所述的化合物半導(dǎo)體元件，其中，該凸部的側(cè)壁與該電極的側(cè)壁齊平。

5.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體元件，其中，該絕緣層覆蓋于該上表面的邊緣區(qū)域且覆蓋不超過(guò)該上表面的面積的30％。

6.如權(quán)利要求3所述的化合物半導(dǎo)體元件，其中，該絕緣層連續(xù)覆蓋在該電極的該上表面、該電極的側(cè)壁、該凸部的側(cè)壁以及該有源結(jié)構(gòu)上。

7.如權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體元件，其中，自該化合物半導(dǎo)體元件的上視觀之，該半導(dǎo)體接觸層呈環(huán)形。

8.一種化合物半導(dǎo)體裝置，包括：

化合物半導(dǎo)體元件，包括：

有源結(jié)構(gòu)，具有第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及位于該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的有源層；

半導(dǎo)體接觸層，位于該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上且具有第一開(kāi)口；

電極，具有上表面且完全覆蓋該半導(dǎo)體接觸層；以及

絕緣層，覆蓋該電極及該有源結(jié)構(gòu)且具有第二開(kāi)口；以及

焊接線，接合至該電極，且該焊接線與該電極的接合處具有接合寬度；

其中，該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層自該第一開(kāi)口露出，該電極自該第二開(kāi)口露出，且于該化合物半導(dǎo)體元件的剖面觀之，該第二開(kāi)口的寬度大于該接合寬度。

9.如權(quán)利要求8所述的化合物半導(dǎo)體裝置，其中，該第一開(kāi)口的寬度大于第二開(kāi)口的寬度的90％。

10.如權(quán)利要求8所述的化合物半導(dǎo)體裝置，還包含載板以及位于該載板上的接合墊。