[發明專利]一種改善MOSFET雪崩特性的方法及其器件

在審

• 申請號: 202110949926.5
• 申請日: 2021-08-18
• 公開（公告）號: CN113707545A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 何昌
• 申請（專利權）人: 深圳市美浦森半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 東莞市卓易專利代理事務所(普通合伙) 44777
• 代理人: 王再興

1.一種改善MOSFET雪崩特性的方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、提供一半導體襯底，所述半導體襯底上設有外延片，在所述外延片上生長一層柵極氧化層；

S2、在所述柵極氧化層上淀積一層多晶硅層,在多晶硅層的表面涂光刻膠，采用刻蝕機進行刻蝕，形成第一溝槽；

S3、定義P型體區，將多晶硅層增加一層光罩；

S4、采用離子注入工藝在所述P型體區內注入P型離子后退火；

S5、采用離子注入工藝注入N型離子后退火形成N⁺源區；

S6、在所述多晶硅層上表面沉積一絕緣介質層；

S7、在所述絕緣介質層進行孔刻蝕形成第二溝槽；

S8、在所述絕緣介質層上表面沉積正面金屬層，引出源極。

2.根據權利要求1所述的一種改善MOSFET雪崩特性的方法，其特征在于，所述步驟S1中，外延片的摻雜濃度低于半導體襯底的摻雜濃度。

3.根據權利要求1所述的一種改善MOSFET雪崩特性的方法，其特征在于，所述S1步驟中，所述柵極氧化層材質為氧化硅。

4.根據權利要求1所述的一種改善MOSFET雪崩特性的方法，其特征在于，所述S1步驟中，采用熱氧化工藝形成所述柵極氧化層。

5.根據權利要求1所述的一種改善MOSFET雪崩特性的方法，其特征在于，所述S2步驟中，采用光刻刻蝕工藝形成所述第一溝槽，所述第一溝槽橫向間隔設置。

6.根據權利要求1所述的一種改善MOSFET雪崩特性的方法，其特征在于，所述S4步驟中，所述P型離子為硼離子；所述退火工藝為爐管退火工藝。

7.根據權利要求1所述的一種改善MOSFET雪崩特性的方法，其特征在于，所述S5步驟中，所述N型離子為磷離子或砷離子；所述退火工藝為爐管退火工藝。

8.一種器件，其特征在于：其包括權利要求1至7中任意一項權利要求所述的一種改善MOSFET雪崩特性的方法形成的MOSFET功率器件。