[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202110941875.1 | 申請日: | 2021-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN114203762A | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發明(設計)人: | 趙宰卨;柳春基 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 梁洪源;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
一種顯示裝置包括:包括顯示區域和焊盤區域的基板、下電極、發光層、在發光層上的上電極以及在焊盤區域中的焊盤電極。下電極在所述顯示區域中,下電極包括第一電極、第二電極和第三電極。第一電極相對于蝕刻工藝具有第一蝕刻速率。第二電極在第一電極上。第二電極相對于蝕刻工藝具有高于第一蝕刻速率的第二蝕刻速率。第三電極在第二電極上。第三電極相對于蝕刻工藝具有低于第二蝕刻速率且高于第一蝕刻速率的第三蝕刻速率。發光層在下電極上。
技術領域
實施例總體上涉及顯示裝置以及制造顯示裝置的方法。更具體地,本公開的實施例涉及包括焊盤電極的顯示裝置以及制造包括焊盤電極的顯示裝置的方法。
背景技術
平板顯示裝置由于其重量輕和薄的特性而用作用于替代陰極射線管顯示裝置的顯示裝置。作為這類平板顯示裝置的代表性示例,存在液晶顯示裝置和有機發光二極管顯示裝置。
顯示裝置可以包括其中布置像素結構(例如,下電極、發光層和上電極)的顯示區域以及其中布置焊盤電極的焊盤區域。在這種情況下,像素結構可以發光,以在顯示裝置的頂表面上顯示圖像,并且焊盤電極可以電連接到被配置為生成提供到像素結構的圖像信號的外部裝置。在形成顯示裝置的下電極的工藝中,在遍及整個基板形成初步電極層之后,下電極可以通過濕法蝕刻工藝形成。在該工藝中,初步電極層可以被布置在焊盤電極上,并且焊盤電極可能在蝕刻布置在焊盤電極上的初步電極層的工藝期間被損壞。
發明內容
一個或多個實施例的方面針對一種包括焊盤電極的顯示裝置。
一個或多個實施例的方面針對一種制造包括焊盤電極的顯示裝置的方法。
根據一些實施例,一種顯示裝置,包括:基板、下電極、發光層、上電極以及焊盤電極。基板包括顯示區域和焊盤區域。下電極在顯示區域中、基板上,下電極包括第一電極、第二電極以及第三電極。第一電極相對于蝕刻工藝具有第一蝕刻速率。第二電極在第一電極上。第二電極相對于蝕刻工藝具有高于第一蝕刻速率的第二蝕刻速率。第三電極在第二電極上。第三電極相對于蝕刻工藝具有低于第二蝕刻速率且高于第一蝕刻速率的第三蝕刻速率。發光層在下電極上。上電極在發光層上。焊盤電極在焊盤區域中、基板上。
在實施例中,第一電極可以包括鈦(Ti),并且第二電極可以包括銀(Ag)。第三電極可以包括銦錫氧化物(ITO)。
在實施例中,焊盤電極可以包括第一金屬層和第二金屬層。第一金屬層相對于蝕刻工藝可以具有第四蝕刻速率。第二金屬層可以在第一金屬層上。第二金屬層可以相對于蝕刻工藝具有高于第四蝕刻速率的第五蝕刻速率。
在實施例中,第四蝕刻速率可以等于第一蝕刻速率。
在實施例中,焊盤電極可以進一步包括在第二金屬層上的第三金屬層。
在實施例中,第三金屬層可以相對于蝕刻工藝具有高于第四蝕刻速率的第六蝕刻速率。第六蝕刻速率可以等于第三蝕刻速率。
在實施例中,第一金屬層可以包括鈦(Ti)。第二金屬層可以包括銅(Cu)。第三金屬層可以包括銦錫氧化物(ITO)。
在實施例中,顯示裝置可以進一步包括在顯示區域和焊盤區域中、基板和下電極之間的保護絕緣層。
在實施例中,保護絕緣層可以暴露焊盤電極的頂表面的一部分。
在實施例中,顯示裝置可以進一步包括在基板和下電極之間的平坦化層。
在實施例中,平坦化層可以包括在從基板到下電極的方向上突出的突起。
在實施例中,下電極可以在突起上。
在實施例中,顯示裝置可以進一步包括在基板和下電極之間的半導體元件,以及在半導體元件和基板之間的屏蔽金屬層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





