[發(fā)明專利]顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110941875.1
• 申請日: 2021-08-17
• 公開（公告）號: CN114203762A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙宰卨;柳春基
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 梁洪源;康泉

1.一種顯示裝置，包括：

包括顯示區(qū)域和焊盤區(qū)域的基板；

在所述顯示區(qū)域中、所述基板上的下電極，所述下電極包括：

相對于蝕刻工藝具有第一蝕刻速率的第一電極，

在所述第一電極上的第二電極，所述第二電極相對于所述蝕刻工藝具有高于所述第一蝕刻速率的第二蝕刻速率，以及

在所述第二電極上的第三電極，所述第三電極相對于所述蝕刻工藝具有低于所述第二蝕刻速率且高于所述第一蝕刻速率的第三蝕刻速率；

在所述下電極上的發(fā)光層；

在所述發(fā)光層上的上電極；以及

在所述焊盤區(qū)域中、所述基板上的焊盤電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一電極包括鈦，

其中，所述第二電極包括銀，并且

其中，所述第三電極包括銦錫氧化物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中，所述焊盤電極包括：

相對于所述蝕刻工藝具有第四蝕刻速率的第一金屬層；

在所述第一金屬層上的第二金屬層，所述第二金屬層相對于所述蝕刻工藝具有高于所述第四蝕刻速率的第五蝕刻速率；以及

在所述第二金屬層上的第三金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第四蝕刻速率等于所述第一蝕刻速率。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第三金屬層相對于所述蝕刻工藝具有高于所述第四蝕刻速率的第六蝕刻速率，并且

其中，所述第六蝕刻速率等于所述第三蝕刻速率。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述第一金屬層包括鈦，

其中，所述第二金屬層包括銅，并且

其中，所述第三金屬層包括銦錫氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括：

在所述顯示區(qū)域和所述焊盤區(qū)域中、所述基板和所述下電極之間的保護(hù)絕緣層；以及

在所述基板和所述下電極之間的平坦化層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述保護(hù)絕緣層暴露所述焊盤電極的頂表面的一部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述平坦化層包括在從所述基板到所述下電極的方向上突出的突起，并且

其中，所述下電極在所述突起上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括：

在所述基板和所述下電極之間的半導(dǎo)體元件；以及

在所述半導(dǎo)體元件和所述基板之間的屏蔽金屬層，

其中，所述半導(dǎo)體元件包括金屬氧化物半導(dǎo)體層，并且所述屏蔽金屬層與所述金屬氧化物半導(dǎo)體層重疊。