[發明專利]一種乙酰丙酮鈀摻雜改性低阻片式厚膜電阻漿料有效
| 申請號: | 202110940157.2 | 申請日: | 2021-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN113393986B | 公開(公告)日: | 2021-12-21 |
| 發明(設計)人: | 張帥;周寶榮;趙科良;吳高鵬;馬小強;馬倩;蘭金鵬;劉琦瑾 | 申請(專利權)人: | 西安宏星電子漿料科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01C7/00 | 分類號: | H01C7/00;H01B1/16;H01B1/22;C03C12/00;C03C3/072 |
| 代理公司: | 西安永生專利代理有限責任公司 61201 | 代理人: | 高雪霞 |
| 地址: | 710065 陜西省西安*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 乙酰 丙酮 摻雜 改性 低阻片式厚膜 電阻 漿料 | ||
本發明公開了一種乙酰丙酮鈀摻雜改性低阻片式厚膜電阻漿料,其由乙酰丙酮鈀溶液、鈀粉、銀粉、二氧化釕、添加劑、玻璃粉、有機載體組成,所述添加劑為五氧化二鈮、氧化銅、二氧化鈦、二氧化錳、氧化鋯等。本發明采用乙酰丙酮鈀溶液代替鈀粉,由于在空氣氣氛中乙酰丙酮鈀在400℃前完全分解為鈀,用乙酰丙酮鈀溶液代替鈀粉可以提升高含量的鈀在電阻漿料中的分散性,改善片式電阻器的電學性能。同時按一定比例混合使用片狀或棒狀銀粉與球形銀粉,利用片狀或棒狀銀粉填充表面裂紋和縮孔,提高低阻片式電阻器的良品率。
技術領域
本發明屬于電阻漿料技術領域,具體涉及一種乙酰丙酮鈀摻雜改性低阻片式厚膜電阻漿料。
背景技術
片式厚膜電阻器由于具有較小的尺寸和較高的可靠性被廣泛地應用在各種電子設備中,作為集成電路的核心元器件對其可靠性有著極為苛刻的要求。片式厚膜電阻器用電阻漿料作為核心原材料決定了片式電阻器主要的工作性能,阻值分散性是決定片式電阻能否可靠應用的關鍵電性能之一。尤其是在低阻段(0.1Ω/□~100Ω/□)漿料中銀粉、鈀粉等金屬導電相的增多,導電相材料的均勻分散對漿料制備過程提出了更高的要求。銀粉、鈀粉等導電相在漿料中的不均勻分散不僅會導致批量生產的片式電阻器阻值的分散性差,在后續的激光調阻工序中無法有效切割調阻,而且會增加在燒結后表面開裂和縮孔的風險,導致大量的不良品出現,提高生產成本。
導致上述問題出現的原因是:在低阻段(0.1Ω/□~100Ω/□)的片式厚膜電阻漿料中金屬導電相銀粉、鈀粉等含量增多,特別是由于鈀具有良好的穩定性和銀遷移導致耐焊性較差,在低阻段漿料中鈀粉的含量最高可達30%,而漿料制備過程不能將其分散均勻,不僅導致片式電阻器的阻值分散性差,同時帶來部分銀粉、鈀粉團聚,在燒結過程中團聚金屬導電相與粘結相之間的熱膨脹系數差距過大,發生表面裂紋和縮孔現象,產生大量不良品。
發明內容
為了解決片式電阻漿料印刷過程中出現的上述問題,本發明提供一種阻值分散性好、電性能優異的乙酰丙酮鈀摻雜改性低阻片式厚膜電阻漿料。
為實現上述目的,本發明所采取的低阻片式厚膜電阻漿料由下述質量百分比的原料組成:質量濃度為55%~60%的乙酰丙酮鈀溶液10%~40%、鈀粉0%~15%、銀粉2%~20%、二氧化釕0~10%、添加劑1%~10%、玻璃粉20%~50%、有機載體20%~40%;且所述電阻漿料中鈀元素的質量含量為5%~30%。
本發明電阻漿料優選由下述質量百分比的原料組成:質量濃度為55%~60%的乙酰丙酮鈀溶液10%~35%、鈀粉0%~15%、銀粉5%~10%、二氧化釕2%~5%、添加劑1%~5%、玻璃粉20%~40%、有機載體20%~40%。進一步優選電阻漿料中鈀元素的質量含量為7%~20%。
上述乙酰丙酮鈀溶液為乙酰丙酮鈀的苯甲醇、氯仿、甲苯溶液中任意一種。
上述銀粉優選片狀或棒狀銀粉與球型銀粉的質量比為20:80~70:30的混合物。
上述添加劑為五氧化二鈮、氧化銅、二氧化鈦、二氧化錳、氧化鋯中任意一種或多種。
上述玻璃粉為硅酸鹽玻璃粉,其質量百分比組成為: PbO 15%~45%、SiO2 25%~40%、CaO 10%~25%、B2O3 3%~12%、Al2O3 5%~10%、Na2O 0.2%~0.5%。
上述有機載體是松油醇、乙基纖維素、氫化松香、聚乙烯醇縮丁醛、馬來酸樹脂中任意一種或多種。
本發明低阻片式厚膜電阻漿料采用常規的輥軋法制備得到。
本發明的有益效果如下:
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