[發明專利]在片S參數測量系統校準方法及電子設備

有效

• 申請號: 202110938375.2
• 申請日: 2021-08-16
• 公開（公告）號: CN113821763B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: 王一幫;齊志華;吳愛華;霍曄;梁法國;欒鵬;劉晨;李彥麗;孫靜
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: G06F17/16
• 分類號: G06F17/16;G06F17/11;G06K9/62
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

本發明提供一種在片S參數測量系統校準方法及電子設備。該方法包括：采用待校準的在片S參數測量系統的兩個端口分別測量在片直通標準、在片負載標準和在片反射標準，對應得到直通S參數、負載S參數和反射S參數；基于轉移參數與S參數的對應關系、直通S參數、負載S參數和反射S參數確定A₁/D₁的值、B₁/D₁的值、C₁/D₁的值；將直通S參數、負載S參數和反射S參數進行端口互換，并根據端口互換后的結果，確定A₂/D₂的值、B₂/D₂的值、C₂/D₂的值，進而確定八項誤差。本發明能夠提高在片S參數測量系統的測量效率。

技術領域

本發明涉及在片S參數校準技術領域，尤其涉及一種在片S參數測量系統校準方法及電子設備。

背景技術

在片S參數測量系統一般應用在微電子行業中，在該測量系統每次使用前，需要選取合適的校準方法對該測量系統進行校準，以使測量結果更準確。目前，在片校準方法主要包括SOLT(Short-Open-Load-Thru)校準方法、LRM(Line-Reflect-Match)校準方法、LRRM(Line-Reflect-Reflect-Match)校準方法和TRL(Thru-Reflect-Line)校準方法等。

各種校準方法都有相應的特點，校準方法包含校準算法和對應的校準標準，校準方法的選取影響著在片S參數測量系統的校準準確度。各種校準方法一般采用8-term誤差模型進行校準，如圖1所示。它們分別對系統源/負載匹配、反射/傳輸跟蹤、方向性、隔離等不理想進行了表征，在在片領域、同軸和波導領域具有很高的準確度，因而得到了廣泛的應用，由于不同校準方法對校準標準的定義要求不同，因此校準標準的不理想會導致校準準確度存在差別。

然而，傳統的SOLR校準方法采用8-term誤差模型，需要Short、Open、Load和Reciprocity四種校準件，其中Short、Open和Load三種校準件的定義需要事先已知，Reciprocity兩端口校準件可以采用直通傳輸線或其它無源器件。即在片S參數測量系統采用現有校準方法進行校準測試效率較低。

發明內容

本發明實施例提供了一種在片S參數測量系統校準方法及電子設備，以解決在片S參數測量系統采用現有校準方法進行校準測試效率較低的問題。

第一方面，本發明實施例提供了一種在片S參數測量系統校準方法，包括：

采用待校準的在片S參數測量系統的兩個端口測量在片直通標準，得到直通S參數；采用待校準的在片S參數測量系統的兩個端口測量在片負載標準，得到負載S參數；采用待校準的在片S參數測量系統的兩個端口測量在片反射標準，得到反射S參數；

基于轉移參數與S參數的對應關系、直通S參數、負載S參數和反射S參數確定A₁/D₁的值、B₁/D₁的值、C₁/D₁的值；

將直通S參數、負載S參數和反射S參數進行端口互換，并根據端口互換后的結果，確定A₂/D₂的值、B₂/D₂的值、C₂/D₂的值，其中，在片直通標準、在片反射標準均未定義，在片負載標準已定義；