[發明專利]在片S參數測量系統校準方法及電子設備有效
| 申請號： | 202110938375.2 | 申請日： | 2021-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN113821763B | 公開（公告）日： | 2022-12-13 |
| 發明（設計）人： | 王一幫;齊志華;吳愛華;霍曄;梁法國;欒鵬;劉晨;李彥麗;孫靜 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | G06F17/16 | 分類號： | G06F17/16;G06F17/11;G06K9/62 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 付曉娣 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 參數 測量 系統 校準 方法 電子設備 | ||
1.一種在片S參數測量系統校準方法，其特征在于，包括：
采用待校準的在片S參數測量系統的兩個端口測量在片直通標準，得到直通S參數；采用所述待校準的在片S參數測量系統的兩個端口測量在片負載標準，得到負載S參數；采用所述待校準的在片S參數測量系統的兩個端口測量在片反射標準，得到反射S參數；
基于轉移參數與S參數的對應關系、所述直通S參數、所述負載S參數和所述反射S參數確定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值；
將所述直通S參數、所述負載S參數和所述反射S參數進行端口互換，并根據端口互換后的結果，確定A2/D2的值、B2/D2的值、C2/D2的值，其中，所述在片直通標準、所述在片反射標準均未定義，所述在片負載標準已定義；
根據A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值、A2/D2的值、B2/D2的值、C2/D2的值以及D1D2的值校準所述待校準的在片S參數測量系統；其中，A1、B1、C1、D1、A2、B2、C2、D2為用于校準所述待校準的在片S參數測量系統的八項誤差項。
2.根據權利要求1所述的在片S參數測量系統校準方法，其特征在于，所述基于轉移參數與S參數的對應關系、所述直通S參數、所述負載S參數和所述反射S參數確定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值，包括：
根據所述直通S參數和所述轉移參數與S參數的對應關系確定所述待校準的在片S參數測量系統的直通原始參數矩陣，并根據所述直通原始參數矩陣確定級聯關系式；
根據所述級聯關系式、所述負載S參數和所述反射S參數，確定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值。
3.根據權利要求2所述的在片S參數測量系統校準方法，其特征在于，所述在片直通標準為一個；所述在片負載標準為一組，包括第一在片負載標準和第二在片負載標準；所述在片反射標準為一組，包括兩個短路標準或者兩個開路標準。
4.根據權利要求2所述的在片S參數測量系統校準方法，其特征在于，所述在片直通標準為一個；所述在片負載標準為一組，包括第一在片負載標準和第二在片負載標準；所述在片反射標準為兩組，第一組在片反射標準包括兩個短路標準，第二組在片反射標準包括兩個開路標準。
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