[發(fā)明專利]多柵極器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110932053.7
• 申請日: 2021-08-13
• 公開（公告）號: CN113745222A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程冠倫;黃禹軒;陳豪育;蔡慶威
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種多柵極器件，包括：

襯底，具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；

第一場效應(yīng)晶體管(FET)，設(shè)置在所述第一區(qū)域中，其中，所述第一場效應(yīng)晶體管包括：

第一溝道層，設(shè)置在所述襯底上方，

第一柵極堆疊件，設(shè)置在所述第一溝道層上并且延伸以包裹所述第一溝道層的每個，以及

第一源極/漏極部件，由所述第一柵極堆疊件插入并且延伸以接觸所述第一溝道層的每個；以及

第二場效應(yīng)晶體管，設(shè)置在所述第二區(qū)域中，其中，所述第二場效應(yīng)晶體管包括：

第二溝道層，設(shè)置在所述襯底上方，

第二柵極堆疊件，設(shè)置在所述第二溝道層上并且延伸以包裹所述第二溝道層的每個，以及

第二源極/漏極部件，由所述第二柵極堆疊件插入并且延伸以接觸所述第二溝道層的每個，

其中，所述第一溝道層的數(shù)量大于所述第二溝道層的數(shù)量，并且其中，所述第一溝道層的最底部一個溝道層位于所述第二溝道層的最底部一個溝道層下方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多柵極器件，其中，所述第一溝道層的最頂部一個溝道層和所述第二溝道層的最頂部一個溝道層包括共同的頂面和共同的底面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多柵極器件，其中，所述第一柵極堆疊件的頂面和所述第二柵極堆疊件的頂面共面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多柵極器件，其中，所述第一柵極堆疊件的底面位于所述第二柵極堆疊件的底面下方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多柵極器件，其中，

所述第一場效應(yīng)晶體管還包括水平設(shè)置在所述第一柵極堆疊件的相對邊緣上的第一內(nèi)部間隔件；

所述第二場效應(yīng)晶體管還包括水平設(shè)置在所述第二柵極堆疊件的相對邊緣上的第二內(nèi)部間隔件；

所述第一內(nèi)部間隔件向上延伸至第一層級；以及

所述第二內(nèi)部間隔件向上延伸至與所述第一層級匹配的第二層級。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多柵極器件，其中，

所述第一內(nèi)部間隔件的最底部間隔件位于所述第二內(nèi)部間隔件的最底部間隔件下方；

所述第一內(nèi)部間隔件的所述最底部間隔件包括與所述第一柵極堆疊件的底面共面的第一底面；以及

所述第二內(nèi)部間隔件的所述最底部間隔件包括與所述第二柵極堆疊件的底面共面的第二底面。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多柵極器件，其中，

所述第一內(nèi)部間隔件的所述最底部間隔件包括第一底面；

所述第二內(nèi)部間隔件的所述最底部間隔件包括與所述第一底部共面的第二底面；

所述第一內(nèi)部間隔件的所述最底部間隔件的所述第一底面與所述第一柵極堆疊件的所述底面共面；以及

所述第二內(nèi)部間隔件的所述最底部間隔件的所述第二底面位于所述第二柵極堆疊件的所述底面下方。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多柵極器件，還包括設(shè)置在第三區(qū)域中的第三場效應(yīng)晶體管，其中，所述第三場效應(yīng)晶體管包括：

第三溝道層，設(shè)置在所述襯底上方，

第三柵極堆疊件，設(shè)置在所述第三溝道層上并且延伸以包裹所述第三溝道層的每個，以及

第三源極/漏極部件，由所述第三柵極堆疊件插入并且延伸以接觸所述第三溝道層的每個，其中，所述第三溝道層的數(shù)量小于所述第一溝道層的數(shù)量和所述第二溝道層的數(shù)量的每個。