[發明專利]半導體結構的制造方法和半導體結構

有效

• 申請號: 202110931841.4
• 申請日: 2021-08-13
• 公開（公告）號: CN113658921B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 李雄;朱黃霞;郭肖林
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/8238;H01L27/092;H10B12/00
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導體結構的制造方法，所述半導體結構包括陣列區和外圍區，其特征在于，包括：

在所述外圍區形成PMOS器件；

在所述陣列區形成NMOS器件；

形成位于所述PMOS器件上的第一鈍化層；

形成位于所述NMOS器件上的第二鈍化層；

所述第一鈍化層和所述第二鈍化層內具有氫元素，所述第一鈍化層內的氫含量小于所述第二鈍化層內的氫含量；

形成所述第一鈍化層和所述第二鈍化層后進行退火處理。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述第一鈍化層的方法包括高密度等離子體化學氣相沉積工藝；形成所述第二鈍化層的步驟包括低壓化學氣相沉積工藝。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述高密度等離子體化學氣相沉積工藝的工藝參數包括：射頻功率為1000W-1300W，溫度為50℃-170℃，腔室氣壓為1mTorr-5mTorr；

所述低壓化學氣相沉積工藝的工藝參數包括：射頻功率為10W-20W，溫度為100℃-250℃，腔室氣壓為500mTorr-1000mTorr。

4.根據權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述第一鈍化層的材料包括氮化硅，所述高密度等離子體化學氣相沉積工藝的反應氣體包括Si₂Cl₆和NH₃；所述第二鈍化層的材料包括氮化硅，所述低壓化學氣相沉積工藝的反應氣體包括SiH₂Cl₂和NH₃。

5.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述第一鈍化層和所述第二鈍化層的步驟包括：

在所述PMOS器件上形成犧牲層；

在所述犧牲層和所述NMOS器件上形成初始第二鈍化層；

去除位于所述犧牲層上的所述初始第二鈍化層，以露出所述犧牲層，剩余的所述初始第二鈍化層作為所述第二鈍化層；

去除所述犧牲層；

在所述PMOS器件和所述第二鈍化層上形成初始第一鈍化層；

去除高于所述第二鈍化層的所述初始第一鈍化層，剩余的所述初始第一鈍化層作為所述第一鈍化層。

6.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述第一鈍化層和所述第二鈍化層的步驟包括：

在所述NMOS器件和所述PMOS器件上形成初始第一鈍化層；

去除位于所述NMOS器件上的所述初始第一鈍化層，剩余的所述初始第一鈍化層作為所述第一鈍化層；

在所述NMOS器件和所述第一鈍化層上形成初始第二鈍化層；

去除高于所述第一鈍化層的所述初始第二鈍化層，剩余的所述初始第二鈍化層作為所述第二鈍化層。

7.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述第一鈍化層和所述第二鈍化層的步驟包括：

在所述NMOS器件和所述PMOS器件上形成初始第二鈍化層；

去除位于所述PMOS器件上的所述初始第二鈍化層，剩余的所述初始第二鈍化層作為所述第二鈍化層；

在所述PMOS器件和所述第二鈍化層上形成初始第一鈍化層；

去除高于所述第二鈍化層的所述初始第一鈍化層，剩余的所述初始第一鈍化層作為所述第一鈍化層。

8.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述PMOS器件和所述NMOS器件的步驟包括：

提供基底；

在所述外圍區的所述基底上形成第一柵極；

在所述外圍區的所述基底內形成第一源極和第一漏極，所述第一源極和所述第一漏極分別位于所述第一柵極兩側；所述第一柵極、所述第一源極和所述第一漏極構成所述PMOS器件；

在所述陣列區的所述基底內形成第二源極、第二柵極和第二漏極，所述第二柵極位于所述第二源極和所述第二漏極之間；所述第二柵極、所述第二源極和所述第二漏極構成所述NMOS器件。