[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110931097.8
• 申請日: 2021-08-13
• 公開（公告）號: CN113809078A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 韓旭;黃艷

1.一種半導體裝置，包含：

一基板；

一井，位于該基板上且為一第一導電型，該井包含位于該井的一上層部分且為該第一導電型的一防擊穿層；

一源極特征以及一漏極特征，位于該防擊穿層上，且為相反于該第一導電型的一第二導電型；

一條狀外延特征，設置于該井上，且為該第一導電型；

多個通道層，懸置于該防擊穿層上且將該源極特征連接至該漏極特征，其中所述多個通道層相互垂直堆疊；

一高介電系數金屬柵極，環繞所述多個通道層，其中該高介電系數金屬柵極的一第一部分設置于所述多個通道層的一最底層以及該防擊穿層之間；

一源極接點，設置于該源極特征上以及電性耦接至該源極特征；

一源極導孔，位于該源極接點上；

一漏極接點，設置于該漏極特征上以及電性耦接至該漏極特征；

一漏極導孔，位于該漏極接點上；

一條狀接點，設置于該條狀外延特征上以及電性耦接至該條狀外延特征；以及

一條狀導孔，位于該條狀接點上，其中該源極導孔以及該條狀導孔被配置以在該半導體裝置的一非主動模式時耦接至不同的電壓，并且在該半導體裝置的一主動模式時耦接至一實質上相同的電壓。