[發明專利]一種薄膜晶體管的制作方法、薄膜晶體管以及顯示裝置

在審

• 申請號: 202110929938.1
• 申請日: 2021-08-13
• 公開（公告）號: CN113707556A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 胡道兵
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/027;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 官建紅

本申請提供了一種薄膜晶體管的制作方法、薄膜晶體管以及顯示裝置，其中薄膜晶體管包括依次層疊設置在襯底上的柵極、柵絕緣層和第一半導體層，薄膜晶體管還包括：刻蝕阻擋層，設置于第一半導體層上，刻蝕阻擋層上有源漏區；第二半導體層，設置于刻蝕阻擋層上，第二半導體層通過源漏區與第一半導體層接觸；源漏極層，設置于第二半導體層上。本申請通過在第一半導體層上涂布光阻層并對光阻層進行圖案化，再在第一半導體層上形成刻蝕阻擋層后將第一半導體層中的圖案化的光阻層剝離，以使刻蝕阻擋層上形成源漏區，由于光阻層采用曝光顯影方式即可去除，可以避免溝道區受到等離子體的轟擊而導致溝道區的長度縮短，有利于提高薄膜晶體管制作工藝的精度。

技術領域

本申請涉及顯示器件技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管的制作方法、薄膜晶體管以及顯示裝置。

背景技術

目前，在氧化物薄膜晶體管的制造技術中，主要有三種器件結構：背溝道刻蝕型(Back Channel Etched，BCE)、刻蝕阻擋層(Etch-Stop Layer，ESL)和頂柵型(Top Gate，TG)。

其中，背溝道刻蝕型結構制程工藝簡單且成本較低，但是背溝道刻蝕型工藝雖然省去了刻蝕阻擋層的構圖工藝，但是由于在有源層上通過濕法刻蝕圖形化源漏極層會導致半導體層被蝕刻液腐蝕損傷造成薄膜晶體管器件制備困難或特性異常，刻蝕阻擋層結構可以有效保護有源層，但是由于工藝上的限制，目前在該工藝制備過程中溝道區的長度變短，導致薄膜晶體管的柵極對溝道區兩側的重摻雜區的影響變大，并且溝道區中的短溝道效應變得更為明顯，從而導致薄膜晶體管的特性變差。

發明內容

本申請提供一種薄膜晶體管的制作方法、薄膜晶體管以及顯示裝置，以解決溝道區易受損傷的問題。

第一方面，本申請提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

在襯底上形成第一半導體層；

在所述第一半導體層上涂布光阻層；

對所述光阻層進行圖案化；

在所述第一半導體層上形成刻蝕阻擋層；

將所述第一半導體層中的圖案化后的所述光阻層剝離，以使所述刻蝕阻擋層上形成源漏區；

在所述刻蝕阻擋層上形成源漏極層。

在本申請一種可能的實現方式中，所述刻蝕阻擋層的材料為有機硅氧烷；

所述在所述第一半導體層上形成刻蝕阻擋層的步驟，還包括：

采用臭氧對所述刻蝕阻擋層進行氧化處理，以使所述有機硅氧烷形成氧化硅。

在本申請一種可能的實現方式中，所述光阻層包括第一光阻部和第二光阻部，所述第一光阻部在所述光阻層上對應于所述源漏區設置，所述第二光阻部在所述光阻層上對應于所述源漏區以外的區域設置；

所述對所述光阻層進行圖案化的步驟包括：

對所述光阻層進行曝光、顯影，以保留所述第一光阻部并去除所述第二光阻部。

在本申請一種可能的實現方式中，所述在所述刻蝕阻擋層上形成源漏極層的步驟，之前還包括：

在所述刻蝕阻擋層上形成第二半導體層，所述第二半導體層通過所述源漏區與所述第一半導體層接觸；

在所述第二半導體層上形成所述源漏極層。

在本申請一種可能的實現方式中，所述在所述第二半導體層上形成所述源漏極層的步驟還包括：

在所述第二半導體層上形成第一金屬層；

通過黃光工藝和濕刻法將所述第一金屬層的中部刻蝕掉形成以在源漏區形成源漏極層；