[發明專利]一種薄膜晶體管的制作方法、薄膜晶體管以及顯示裝置

在審

• 申請號: 202110929938.1
• 申請日: 2021-08-13
• 公開（公告）號: CN113707556A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 胡道兵
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/027;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 官建紅

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成第一半導體層；

在所述第一半導體層上涂布光阻層；

對所述光阻層進行圖案化；

在所述第一半導體層上形成刻蝕阻擋層；

將所述第一半導體層中的圖案化后的所述光阻層剝離，以使所述刻蝕阻擋層上形成源漏區；

在所述刻蝕阻擋層上形成源漏極層。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為有機硅氧烷；

所述在所述第一半導體層上形成刻蝕阻擋層的步驟，還包括：

采用臭氧對所述刻蝕阻擋層進行氧化處理，以使所述有機硅氧烷形成氧化硅。

3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述光阻層包括第一光阻部和第二光阻部，所述第一光阻部在所述光阻層上對應于所述源漏區設置，所述第二光阻部在所述光阻層上對應于所述源漏區以外的區域設置；

所述對所述光阻層進行圖案化的步驟包括：

對所述光阻層進行曝光、顯影，以保留所述第一光阻部并去除所述第二光阻部。

4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述刻蝕阻擋層上形成源漏極層的步驟，之前還包括：

在所述刻蝕阻擋層上形成第二半導體層，所述第二半導體層通過所述源漏區與所述第一半導體層接觸；

在所述第二半導體層上形成所述源漏極層。

5.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第二半導體層上形成所述源漏極層的步驟還包括：

在所述第二半導體層上形成第一金屬層；

通過黃光工藝和濕刻法將所述第一金屬層的中部刻蝕掉形成以在源漏區形成源漏極層；

通過干刻法將所述第二半導體層中部刻蝕掉形成溝道區，所述溝道區貫穿所述源漏極層以及所述第二半導體層。

6.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述源漏區包括間隔設置的源極區和漏極區，所述在所述刻蝕阻擋層上形成第二半導體層的步驟，還包括：

將所第二半導體層上對應于所述源極區刻蝕形成第一孔，對應于所述漏極區刻蝕形成第二孔。

7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底上形成第一半導體層的步驟之前，還包括：

采用物理氣相沉積在所述襯底上形成的第二金屬層；

對所述第二金屬層進行圖案化處理；

在所述第二金屬層上沉積柵絕緣層。

8.如權利要求1-7任一項所述的制作方法，其特征在于，所述在所述刻蝕阻擋層上形成源漏極層的步驟，還包括：

采用氣相沉積法在所述源漏極層上制作鈍化層。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，采用如權利要求1至8中任一項所述的制作方法制作形成。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求9所述的薄膜晶體管。