[發(fā)明專利]含焊球載板及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110925522.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115938949A | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳璽翔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 禮鼎半導(dǎo)體科技(深圳)有限公司;碁鼎科技秦皇島有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 許春曉;習(xí)冬梅 |
| 地址: | 518105 廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道海旺*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 含焊球載板 及其 制造 方法 | ||
一種含焊球載板的制造方法,包括步驟:提供一母板,母板包括本體部及電性連接本體部的多個(gè)焊盤,焊盤間隔設(shè)置于本體部的一側(cè)。于焊盤上設(shè)置絕緣膜,介質(zhì)層貫穿設(shè)置有多個(gè)開孔,焊盤于開孔的底部露出。于開孔內(nèi)設(shè)置填入焊料。加熱熔融焊料以形成焊球,焊球包括第一端部、第二端及連接部,連接部連接于第一端與第二端之間,第一端及連接部容置于開孔內(nèi),第一端電性連接焊盤,第二端凸出開孔,以及移除部分絕緣膜,使得連接部露出開孔,獲得含焊球載板母板。本申請(qǐng)?zhí)峁┑闹圃旆椒ㄓ欣谠诰嚯x小于90微米的相鄰兩個(gè)焊盤上形成焊球。另外,本申請(qǐng)還提供一種含焊球載板。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及一種含焊球載板及其制造方法。
背景技術(shù)
一般情況下,錫膏植球技術(shù)主要包括以下步驟:在載板上側(cè)覆蓋鋼網(wǎng),使得鋼網(wǎng)上各網(wǎng)孔的位置對(duì)應(yīng)于載板上各焊盤位置;在鋼網(wǎng)上側(cè)涂覆錫膏,并采用刮刀在鋼網(wǎng)上側(cè)刮涂,使得錫膏填充鋼網(wǎng)上的各網(wǎng)孔,以形成涂覆于各焊盤位置的焊珠;移除網(wǎng)板;對(duì)載板進(jìn)行回流焊,使多個(gè)焊珠熔化成一體形成焊球。然而,對(duì)于焊盤間距小于90微米的載板而言,回流焊加熱容易導(dǎo)致相鄰的焊球聚攏形成更大焊球,從而造成短路。
發(fā)明內(nèi)容
為解決背景技術(shù)中的問題,本發(fā)明的目的在于提供一種含焊球載板的制造方法。
另外,還有必要提供一種含焊球載板。
一種含焊球載板的制造方法,包括步驟:提供一母板,所述母板包括本體部及電性連接所述本體部的多個(gè)焊盤,所述焊盤間隔設(shè)置于所述本體部的一側(cè)。于所述焊盤上設(shè)置絕緣膜,所述絕緣膜沿厚度方向貫穿設(shè)置有多個(gè)開孔,所述焊盤于所述開孔的底部露出。于所述開孔內(nèi)設(shè)置填入焊料。加熱熔融所述焊料以形成焊球,所述焊球包括第一端、第二端及連接部,所述連接部連接于所述第一端與所述第二端之間,所述第一端及所述連接部容置于所述開孔內(nèi),所述第一端電性連接所述焊盤,所述第二端凸出所述絕緣膜,以及移除部分所述絕緣膜,使得所述連接部露出所述開孔,獲得所述含焊球載板。
進(jìn)一步地,所述絕緣膜包括介質(zhì)層,步驟“移除部分所述絕緣膜”包括:通過等離子體蝕刻的方式移除遠(yuǎn)離所述焊盤的部分所述介質(zhì)層。
進(jìn)一步地,所述絕緣膜包括介質(zhì)層及可剝離層,所述介質(zhì)層設(shè)置于所述本體部和所述可剝離層之間,步驟“移除部分所述絕緣膜”包括:剝離所述可剝離層。
進(jìn)一步地,所述母板包括多個(gè)子板,所述含焊球載板的制造方法還包括:鋸切所述母板以獲得多個(gè)所述子板。
進(jìn)一步地,所述焊料包括錫膏或者錫珠。
進(jìn)一步地,所述焊料與所述絕緣膜的外表面齊平。
進(jìn)一步地,相鄰兩個(gè)所述焊盤之間的距離小于90微米。
進(jìn)一步地,所述開孔包括第一部分及與所述第一部分連通的第二部分,所述第二部分設(shè)置于所述第一部分與所述焊盤之間,所述第一端容置于所述第一部分內(nèi),所述第二端容置于所述第二部分內(nèi)。
進(jìn)一步地,所述第一部分截面呈梯形,所述第二部分截面呈方形。
一種含焊球載板,包括子板、絕緣膜以及焊球,所述子板包括本體部及電性連接所述本體部的多個(gè)焊盤,所述焊盤間隔設(shè)置于所述本體部的一側(cè),所述絕緣膜設(shè)置于所述焊盤上,所述絕緣膜沿厚度方向貫穿設(shè)置有開孔,所述焊盤于所述開孔的底部露出,所述焊球包括第一端、第二端及連接于所述第一端和所述第二端之間的連接,所述第一端容置于所述開孔內(nèi),所述第二端及所述連接部凸出于所述絕緣膜。
本申請(qǐng)?zhí)峁┑暮盖蜉d板的制造方法通過先在復(fù)合膜上設(shè)置開孔,所述開孔容置焊料,使得加熱熔融所述焊料時(shí),相鄰兩個(gè)所述開孔內(nèi)的所述焊料不會(huì)發(fā)生橋連短路,有利于在距離較小的相鄰兩個(gè)所述焊盤上形成所述焊球。
附圖說明
圖1為本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的母板的示意圖。
圖2為圖1所示的母板設(shè)置第一介質(zhì)層的示意圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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