[發(fā)明專利]含焊球載板及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110925522.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115938949A | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳璽翔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 禮鼎半導(dǎo)體科技(深圳)有限公司;碁鼎科技秦皇島有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 許春曉;習(xí)冬梅 |
| 地址: | 518105 廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道海旺*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 含焊球載板 及其 制造 方法 | ||
1.一種含焊球載板的制造方法,包括步驟:
提供一母板,所述母板包括本體部及電性連接所述本體部的多個(gè)焊盤,所述焊盤間隔設(shè)置于所述本體部的一側(cè);
于所述焊盤上設(shè)置絕緣膜,所述絕緣膜沿厚度方向貫穿設(shè)置有多個(gè)開孔,所述焊盤于所述開孔的底部露出;
于所述開孔內(nèi)設(shè)置焊料;
加熱熔融所述焊料以形成焊球,所述焊球包括第一端、第二端及連接部,所述連接部連接于所述第一端與所述第二端之間,所述第一端及所述連接部容置于所述開孔內(nèi),所述第一端電性連接所述焊盤,所述第二端凸出所述絕緣膜;以及
移除部分所述絕緣膜,使得所述連接部露出所述開孔,獲得所述含焊球載板。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述絕緣膜包括介質(zhì)層,步驟“移除部分所述絕緣膜”包括:
通過(guò)等離子體蝕刻的方式移除遠(yuǎn)離所述焊盤的部分所述介質(zhì)層。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述絕緣膜包括介質(zhì)層及可剝離層,所述介質(zhì)層設(shè)置于所述本體部和所述可剝離層之間,步驟“移除部分所述絕緣膜”包括:
剝離所述可剝離層。
4.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述母板包括多個(gè)子板,所述含焊球載板的制造方法還包括:分割所述母板以使得多個(gè)所述子板相互分離。
5.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述焊料包括錫膏或者錫珠。
6.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述焊料與所述絕緣膜的外表面齊平。
7.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,相鄰兩個(gè)所述焊盤之間的距離小于90微米。
8.如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述開孔包括第一部分及與所述第一部分連通的第二部分,所述第二部分設(shè)置于所述第一部分與所述焊盤之間,所述第一部分的橫截面形狀為梯形,所述第二部分的橫截面形狀為方形,所述第一端容置于所述第一部分內(nèi),所述第二端容置于所述第二部分內(nèi)。
9.一種含焊球載板,其特征在于,包括子板、絕緣膜以及焊球,所述子板包括本體部及電性連接所述本體部的多個(gè)焊盤,所述焊盤間隔設(shè)置于所述本體部的一側(cè),所述絕緣膜設(shè)置于所述焊盤上,所述絕緣膜沿厚度方向貫穿設(shè)置有開孔,所述焊盤于所述開孔的底部露出,所述焊球包括第一端、第二端及連接于所述第一端和所述第二端之間的連接,所述第一端容置于所述開孔內(nèi)且連接所述焊盤,所述第二端及所述連接部凸出于所述絕緣膜。
10.如權(quán)利要求9所述的含焊球載板,其特征在于,所述連接部包括相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)側(cè)面,所述側(cè)面沿所述厚度方向延伸。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于禮鼎半導(dǎo)體科技(深圳)有限公司;碁鼎科技秦皇島有限公司,未經(jīng)禮鼎半導(dǎo)體科技(深圳)有限公司;碁鼎科技秦皇島有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110925522.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過(guò)程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





