[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110925459.2
• 申請日: 2021-08-12
• 公開（公告）號: CN113745166A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱雅文;陳思穎;譚倫光
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/11
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其包括：

形成從襯底垂直突出的鰭結(jié)構(gòu)；

在所述鰭結(jié)構(gòu)的表面上外延生長硅層；

執(zhí)行第一快速熱氮化(RTN)工藝，其中所述第一快速熱氮化工藝將氮注入至外延生長的硅層中；

在已經(jīng)執(zhí)行所述第一快速熱氮化工藝之后，在所述外延生長的硅層上方形成介電襯墊層；以及

在所述介電襯墊層上方形成介電隔離結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

形成所述鰭結(jié)構(gòu)包括執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)蝕刻工藝來圖案化所述鰭結(jié)構(gòu)，其中在執(zhí)行所述一個(gè)或多個(gè)蝕刻工藝之后，所述鰭結(jié)構(gòu)具有第一表面粗糙度；以及

外延生長在所述鰭結(jié)構(gòu)上的所述硅層具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述鰭結(jié)構(gòu)包括形成包括硅鍺材料的P型鰭結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中：

在所述鰭結(jié)構(gòu)的所述硅鍺材料上方形成一個(gè)或多個(gè)掩模層；以及

所述硅層外延生長在所述硅鍺材料和所述一個(gè)或多個(gè)掩模層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在所述一個(gè)或多個(gè)掩模層上生長的所述硅層的第一部分比在所述硅鍺材料上生長的所述硅層的第二部分厚。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在已經(jīng)執(zhí)行所述第一快速熱氮化工藝之后，在所述硅層上形成氧化硅襯墊；以及

在所述氧化硅襯墊上方形成隔離結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

形成所述介電襯墊層還包括在所述外延生長的硅層上形成氧化硅襯墊層；以及

形成所述介電隔離結(jié)構(gòu)包括直接在所述氧化硅襯墊層上形成淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

形成所述介電襯墊層還包括在所述外延生長的硅層上形成氮化硅襯墊層；以及

形成所述介電隔離結(jié)構(gòu)包括直接在所述氮化硅襯墊層上形成淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)。

9.一種用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其包括：

將硅鍺材料圖案化成p型鰭結(jié)構(gòu)，其中，所述圖案化包括一個(gè)或多個(gè)蝕刻工藝；

在所述p型鰭結(jié)構(gòu)上生長外延層；

將氮注入至所述外延層中；

在氮已經(jīng)被注入至所述外延層中之后，在所述外延層上沉積氧化硅襯墊層；

將氮注入至所述氧化硅襯墊層中；以及

在氮已經(jīng)被注入至所述氧化硅襯墊層中之后，在所述氧化硅襯墊層上方形成淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)。

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

鰭結(jié)構(gòu)，從襯底垂直突出，其中，所述鰭結(jié)構(gòu)包含硅鍺(SiGe)；

外延硅層，設(shè)置在所述鰭結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，其中，所述外延硅層包含氮；

一個(gè)或多個(gè)介電襯墊層，設(shè)置在所述外延硅層上；以及

介電隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)介電襯墊層上方。