[發明專利]碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測定方法在審
| 申請號： | 202110917059.7 | 申請日： | 2021-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN113601376A | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發明（設計）人： | 趙麗霞;楊牧軒;李斌;李鵬;原帥武;牛玉龍;張峰;靳霄曦 | 申請（專利權）人： | 山西爍科晶體有限公司 |
| 主分類號： | B24B29/02 | 分類號： | B24B29/02;B24B49/00 |
| 代理公司： | 太原高欣科創專利代理事務所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷錦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 雙面 拋光 單面 速率 測定 方法 | ||
1.碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測定方法，其特征在于，包括以下步驟：
a）對待測定拋光片的碳面和硅面分別進行邊緣倒角處理；
b）分別測量硅面和碳面的倒角邊緣，得硅面的面幅長度為L1以及角度?1；得碳面的面幅長度為L3以及角度?2；
c）分別對硅面和碳面進行拋光，拋光的時長為t，則硅面的厚度減少T1，碳面的厚度減少T2；
d）再次測量硅面的的面幅長度為L2，碳面的面幅長度為L4；
e）則計算T1=(L1-L2)·tan?1； T2=(L3-L4)·tan?2；
f）計算硅面的拋光速率為GR硅＝T1/t；碳面的拋光速率＝T2/t。
2.根據權利要求1所述的碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測定方法，其特征在于，所述拋光片的厚度為400-750μm。
3.根據權利要求2所述的碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測定方法，其特征在于，所述拋光片的厚度為500-600μm。
4.根據權利要求1所述的碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測定方法，其特征在于，L1為100-300μm。
5.根據權利要求4所述的碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測定方法，其特征在于，?1、?2均為10-30°。
6.根據權利要求5所述的碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測定方法，其特征在于，?1、?2均為20°。
7.根據權利要求1所述的碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測定方法，其特征在于，在輪廓儀下測試拋光片邊緣的倒角參數L1、L2、L3、L4、?1、?2。
8.根據權利要求1所述的碳化硅雙面拋光中單面拋光速率的測定方法，其特征在于，拋光的時間t為1-5h。
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