[發(fā)明專利]一種陶瓷介質(zhì)濾波器的金屬層制備方法

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• 申請日: 2021-08-10
• 公開（公告）號: CN113802104A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 唐杰;鐘文森;張磊;鄭逸
• 申請（專利權）人: 深圳戴爾蒙德科技有限公司
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/30
• 代理公司: 北京棘龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11740
• 代理人: 張開

本發(fā)明公開了一種陶瓷介質(zhì)濾波器的金屬層制備方法，具體涉及陶瓷介質(zhì)濾波器技術領域，包括以下步驟：S1：在陶瓷介質(zhì)濾波器表面通過陽極層氣體離子源對材料表面進行拋光、清洗處理；S2：在真空腔室內(nèi)，對陶瓷表面進行離子注入處理，形成陶瓷?金屬混合層；S3：通過磁控濺射技術，在陶瓷表面沉積一層致密銅層；S4：在致密銅層表面采用通過電子束蒸發(fā)技術進行銅層的增厚處理，即制備第二銅層；S5：最后通過電子束蒸發(fā)技術沉積一層Ag金屬層。本發(fā)明通過物理氣相沉積的方式在陶瓷介質(zhì)濾波器表面直接進行金屬化，結(jié)合高，插入損耗值低，無環(huán)境污染。

技術領域

本發(fā)明涉及陶瓷介質(zhì)濾波器技術領域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種陶瓷介質(zhì)濾波器的金屬層制備方法。

背景技術

陶瓷介質(zhì)濾波器是由鋯鈦酸鉛陶瓷材料制成的，把這種陶瓷材料制成片狀，兩面涂銀作為電極，經(jīng)過直流高壓極化后就具有壓電效應。陶瓷介質(zhì)濾波器利用介質(zhì)陶瓷材料的低損耗、高介電常數(shù)、小頻率溫度系數(shù)和熱膨脹系數(shù)，在通信系統(tǒng)中的作用是對信號頻率進行選擇和控制，選擇特定頻率信號通過，抑制不需要的頻率信號。陶瓷介質(zhì)濾波器主要應用在航天、微波、移動通信等領域。

現(xiàn)有的陶瓷介質(zhì)濾波器采用化學電鍍、噴涂、濺射、絲網(wǎng)印刷等工藝，在陶瓷介質(zhì)基體上覆銀層，經(jīng)過烘銀爐燒銀，可使用激光設備調(diào)節(jié)鍍銀層。現(xiàn)有工藝工序復雜，并且不環(huán)保。而銀漿等原材料依靠進口。

在所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對本領域普通技術人員已知的現(xiàn)有技術的信息。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術問題，本發(fā)明的實施例提供一種陶瓷介質(zhì)濾波器的金屬層制備方法。

一種陶瓷介質(zhì)濾波器的金屬層制備方法，包括以下步驟：

S1：在陶瓷介質(zhì)濾波器表面通過陽極層氣體離子源對材料表面進行拋光、清洗處理；

S2：在真空腔室內(nèi)，對陶瓷表面進行離子注入處理，形成陶瓷-金屬混合層；

S3：通過磁控濺射技術，在陶瓷表面沉積一層致密銅層；

S4：在致密Cu層表面采用通過電子束蒸發(fā)技術進行銅層的增厚處理，即制備第二銅層；

S5：最后通過電子束蒸發(fā)技術沉積一層Ag金屬層。

所述步驟S1中，利用陽極層氣體離子源技術對陶瓷表面進行拋光處理，氬氣50-120sccm，電壓100-450V，功率1-8kW，時間30-90min；粗糙度降低至0.5μm。

所述步驟S2中，利用離子注入技術在陶瓷層表面進行離子注入處理，金屬靶材為Ti、Cu、或其合金，注入電壓4-12kV，注入劑量1*10¹⁴-1*10¹⁸(ion/cm²)/(ion/cm³)。

所述步驟S3中，利用磁控濺射技術在陶瓷金屬混合層表面沉積一層致密銅層，靶材為銅靶(純度99.99％)氬氣為80-150sccm，功率1-10kW，沉積厚度1-3微米。

所述步驟S4中，利用電子束蒸發(fā)技術在致密銅層表面制備第二銅層，銅粒純度99.99％，本底真空度為1.0*10^-3Pa-1*10^-4Pa，銅層厚度為2-5微米。

所述步驟S5中，利用電子束蒸發(fā)技術制備銀層，銀粒的純度為99.99％，本底真空度為1.0*10^-3Pa-1*10^-4Pa，銀層厚度為2微米。

整體膜層的厚度在5-10μm，整體膜層結(jié)合強度大于40N/mm²，整體插入損耗值不高于0.8dB。

本發(fā)明的技術效果和優(yōu)點：