[發明專利]一種陶瓷介質濾波器的金屬層制備方法

在審

• 申請號: 202110915032.4
• 申請日: 2021-08-10
• 公開（公告）號: CN113802104A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 唐杰;鐘文森;張磊;鄭逸
• 申請（專利權）人: 深圳戴爾蒙德科技有限公司
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/30
• 代理公司: 北京棘龍知識產權代理有限公司 11740
• 代理人: 張開

1.一種陶瓷介質濾波器的金屬層制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：在陶瓷介質濾波器表面通過陽極層氣體離子源對材料表面進行拋光、清洗處理；

S2：在真空腔室內，對陶瓷表面進行離子注入處理，形成陶瓷-金屬混合層；

S3：通過磁控濺射技術，在陶瓷表面沉積一層致密銅層；

S4：在致密銅層表面采用通過電子束蒸發技術進行銅層的增厚處理，即制備第二銅層；

S5：最后通過電子束蒸發技術沉積一層Ag金屬層。

2.根據權利要求1所述的一種陶瓷介質濾波器的金屬層制備方法，其特征在于：所述步驟S1中，利用陽極層氣體離子源技術對陶瓷表面進行拋光處理，氬氣50-120sccm，電壓100-450V，功率1-8kW，時間30-90min；粗糙度降低至0.5μm。

3.根據權利要求1所述的一種陶瓷介質濾波器的金屬層制備方法，其特征在于：所述步驟S2中，利用離子注入技術在陶瓷層表面進行離子注入處理，金屬靶材為Ti、Cu、或其合金，注入電壓4-12kV，注入劑量1*10¹⁴-1*10¹⁸(ion/cm²)/(ion/cm³)。

4.根據權利要求1所述的一種陶瓷介質濾波器的金屬層制備方法，其特征在于：所述步驟S3中，利用磁控濺射技術在陶瓷金屬混合層表面沉積一層致密銅層，靶材為銅靶(純度99.99％)，氬氣為80-150sccm，功率1-10kW，沉積厚度1-3微米。

5.根據權利要求1所述的一種陶瓷介質濾波器的金屬層制備方法，其特征在于：所述步驟S4中，利用電子束蒸發技術在致密銅層表面制備第二銅層，銅粒純度99.99％，本底真空度為1.0*10^-3Pa-1*10^-4Pa，銅層厚度為2-5微米。

6.根據權利要求1所述的一種陶瓷介質濾波器的金屬層制備方法，其特征在于：所述步驟S5中，利用電子束蒸發技術制備銀層，銀粒的純度為99.99％，本底真空度為1.0*10^-3Pa-1*10^-4Pa，銀層厚度為2微米。

7.根據權利要求1-6任一項所述的一種陶瓷介質濾波器的金屬層制備方法，其特征在于：整體膜層的厚度在5-10μm，整體膜層結合強度大于40N/mm²，整體插入損耗值不高于0.8dB。