[發(fā)明專利]高靈敏度微壓檢測(cè)環(huán)形溝槽振膜結(jié)構(gòu)電容式微機(jī)械超聲換能器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110911557.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113714072B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-10-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王紅亮;丁琦;何常德;張文棟;黃霄;王任鑫;王智豪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中北大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B06B1/02 | 分類號(hào): | B06B1/02;B81B7/02 |
| 代理公司: | 太原科衛(wèi)專利事務(wù)所(普通合伙) 14100 | 代理人: | 朱源;曹一杰 |
| 地址: | 030051 山*** | 國(guó)省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靈敏度 檢測(cè) 環(huán)形 溝槽 膜結(jié)構(gòu) 電容 式微 機(jī)械 超聲 換能器 | ||
本發(fā)明涉及微壓(0?10kPa)檢測(cè)領(lǐng)域,尤其涉及MEMS或電容式微機(jī)械超聲換能器,具體為高靈敏度微壓檢測(cè)環(huán)形溝槽振膜結(jié)構(gòu)電容式微機(jī)械超聲換能器,包括金屬上電極、Si振膜、SiO2支撐柱、真空腔、SiO2絕緣層以及硅襯底,Si振膜的下方邊緣位置設(shè)置有環(huán)形的SiO2支撐柱,SiO2支撐柱的下方設(shè)置硅襯底,Si振膜、SiO2支撐柱和硅襯底所圍成的空腔為真空腔,真空腔底部設(shè)置有SiO2絕緣層,Si振膜上方濺射金屬上電極,Si振膜上表面刻蝕出若干條同心的環(huán)形溝槽。本發(fā)明的電容式微機(jī)械超聲換能器具有高靈敏度、優(yōu)線性度的壓力檢測(cè)性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微壓(0-10kPa)檢測(cè)領(lǐng)域,尤其涉及MEMS或電容式微機(jī)械超聲換能器,具體為高靈敏度微壓檢測(cè)環(huán)形溝槽振膜結(jié)構(gòu)電容式微機(jī)械超聲換能器。
背景技術(shù)
壓力作為最基本的應(yīng)用參數(shù),它的精密測(cè)量是工業(yè)生產(chǎn)、科學(xué)研究、國(guó)防科技、生物醫(yī)療等領(lǐng)域迫切需要解決的技術(shù)難題。尤其在微壓環(huán)境下,高效而精確地獲取微弱壓力始終是壓力傳感器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)和難點(diǎn)之一;再加上壓力突變等復(fù)雜情況,設(shè)計(jì)出具有高敏度、低檢出的實(shí)用性傳感器的難度頗大。盡管如此,微壓傳感器始終是科研學(xué)者們的研究熱點(diǎn),這主要在于微壓測(cè)量在航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域有著迫切的應(yīng)用需求。例如:通過(guò)高空壓力進(jìn)行飛行器的測(cè)高及軌道校正,工業(yè)生產(chǎn)中化學(xué)反應(yīng)過(guò)程的壓力條件監(jiān)測(cè),高鐵運(yùn)行系統(tǒng)中的外物脈動(dòng)風(fēng)壓檢測(cè),頸內(nèi)動(dòng)脈血管術(shù)前術(shù)后的壓力差檢測(cè)等。
經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期發(fā)展,用于壓力測(cè)量的傳感器不斷開(kāi)發(fā)并投入使用,較為突出的是基于MEMS技術(shù)的壓力傳感器。相比于其它類型的壓力傳感器,該類傳感器具有微型化、高諧振頻率、高靈敏度、低噪聲以及可量產(chǎn)等顯著優(yōu)勢(shì)。MEMS壓力傳感器大致可分為:壓阻式、電容式和諧振式三類。其中,壓阻式MEMS壓力傳感器是利用材料的壓阻效應(yīng)制備而成。該類傳感器工藝簡(jiǎn)易、線性度良好,但固有的溫敏特性對(duì)測(cè)量精度影響極大,必要的溫度補(bǔ)償嚴(yán)重限制了它的應(yīng)用范圍。電容式MEMS壓力傳感器通過(guò)上下極板間的電容變化間接得到待測(cè)壓力。這類傳感器具有低溫漂、低功耗以及高靈敏度等優(yōu)點(diǎn),但固有的非線性特性和較小的輸出電容對(duì)檢測(cè)信號(hào)要求很高。而諧振式MEMS壓力傳感器通過(guò)諧振器工作時(shí)固有頻率變化間接實(shí)現(xiàn)壓力測(cè)量。相比于前兩者,諧振式MEMS壓力傳感器主要受器件本身結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的機(jī)械特性的影響,因此測(cè)量精度/靈敏度高、抗干擾性強(qiáng),在航空航天、工業(yè)控制等傳感器性能要求較高的領(lǐng)域舉足輕重,其中的典型代表就是硅微諧振式MEMS壓力傳感器。
作為硅微諧振式MEMS傳感器的典型代表,電容式微機(jī)械超聲換能器(CMUT)由于其卓越的共振特性,已成為硅微諧振式MEMS壓力傳感器的重要組成部分。當(dāng)CMUT設(shè)計(jì)為壓力傳感器時(shí),可用于測(cè)量靜態(tài)或者緩慢變化的壓力。不同于懸臂梁等第二敏感元件諧振式壓力傳感器,CMUT的振膜可直接感測(cè)不同壓力,從而有效提高分辨率;此外,CMUT本身較高的諧振頻率、品質(zhì)因數(shù)等也為壓力測(cè)量靈敏度的提升創(chuàng)造了條件;再者,CMUT的穩(wěn)固結(jié)構(gòu)、良好的電路匹配性以及可批量生產(chǎn)等顯著優(yōu)勢(shì)確保了復(fù)雜環(huán)境下的壓力測(cè)量的可靠性。
目前,典型的電容式微機(jī)械超聲換能器(CMUT)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,包括金屬上電極、Si振膜、SiO2支撐柱、真空腔、SiO2絕緣層以及硅襯底(亦為下電極),Si振膜的下方邊緣位置設(shè)置有環(huán)形的SiO2支撐柱,SiO2支撐柱的下方設(shè)置硅襯底,Si振膜、SiO2支撐柱和重?fù)诫s硅襯底所圍成的空腔為真空腔,真空腔底部設(shè)置有SiO2絕緣層,Si振膜上方濺射金屬上電極,硅襯底采用重?fù)诫s硅襯底。傳統(tǒng)的電容式微機(jī)械超聲換能器Si振膜為平膜,該振膜及柱形空腔結(jié)構(gòu)嚴(yán)重限制了振膜變形,抑制了壓力測(cè)量性能的進(jìn)一步優(yōu)化。
發(fā)明內(nèi)容
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