[發(fā)明專利]高靈敏度微壓檢測環(huán)形溝槽振膜結(jié)構(gòu)電容式微機械超聲換能器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110911557.0 | 申請日： | 2021-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN113714072B | 公開（公告）日： | 2022-10-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王紅亮;丁琦;何常德;張文棟;黃霄;王任鑫;王智豪 | 申請（專利權(quán)）人： | 中北大學(xué) |
| 主分類號： | B06B1/02 | 分類號： | B06B1/02;B81B7/02 |
| 代理公司： | 太原科衛(wèi)專利事務(wù)所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源;曹一杰 |
| 地址： | 030051 山*** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 靈敏度 檢測 環(huán)形 溝槽 膜結(jié)構(gòu) 電容 式微 機械 超聲 換能器 | ||
1.高靈敏度微壓檢測環(huán)形溝槽振膜結(jié)構(gòu)電容式微機械超聲換能器，包括金屬上電極（1）、Si振膜（2）、SiO2支撐柱（3）、真空腔（4）、SiO2絕緣層（5）以及硅襯底（6），Si振膜（2）的下方邊緣位置設(shè)置有環(huán)形的SiO2支撐柱（3），SiO2支撐柱（3）的下方設(shè)置硅襯底（6），Si振膜（2）、SiO2支撐柱（3）和硅襯底（6）所圍成的空腔為真空腔（4），真空腔（4）底部設(shè)置有SiO2絕緣層（5），Si振膜上方濺射金屬上電極（1），其特征在于：Si振膜（2）上表面刻蝕出若干條同心的環(huán)形溝槽（7）；所述環(huán)形溝槽（7）的圓心位于Si振膜（2）的豎直中心線上；環(huán)形溝槽（7）的數(shù)目為3~7個；環(huán)形溝槽（7）寬度、深度相同，相鄰環(huán)形溝槽（7）之間的間距相同；環(huán)形溝槽（7）位于Si振膜（2）的邊緣區(qū)域，位于最外圍的環(huán)形溝槽（7）外側(cè)邊緣和Si振膜（2）邊緣的最短距離為15微米；環(huán)形溝槽（7）的寬度都為3.5微米，相鄰環(huán)形溝槽（7）間距為2微米，環(huán)形溝槽（7）的深度為3.5微米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏度微壓檢測環(huán)形溝槽振膜結(jié)構(gòu)電容式微機械超聲換能器，其特征在于：所述環(huán)形溝槽（7）的數(shù)目為5個。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏度微壓檢測環(huán)形溝槽振膜結(jié)構(gòu)電容式微機械超聲換能器，其特征在于：硅襯底（6）采用低阻率硅襯底。
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