[發(fā)明專利]混合成像結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110910810.0
• 申請(qǐng)日: 2021-08-10
• 公開（公告）號(hào): CN113363275B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉偉;郭得福;王鵬;段程鵬;馬仁旺;歐秦偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安中科立德紅外科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;G01J1/42
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;劉芳

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N混合成像結(jié)構(gòu)，涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有的混合成像芯片結(jié)構(gòu)在襯底上布局不合理，導(dǎo)致襯底的整體尺寸較大，增加成本的技術(shù)問題，該混合成像結(jié)構(gòu)包括第一互連結(jié)構(gòu)，第一互連結(jié)構(gòu)位于襯底的第一側(cè)的表面上；可見光探測(cè)器件，可見光探測(cè)器件位于容置腔內(nèi)，且靠近第二側(cè)設(shè)置，可見光探測(cè)器件與第一互連結(jié)構(gòu)電性連接；可見光探測(cè)器件包括相互連接的至少一個(gè)N型摻雜區(qū)和至少兩個(gè)P型摻雜區(qū)，至少一個(gè)N型摻雜區(qū)位于至少兩個(gè)P型摻雜區(qū)之間；多個(gè)垂直電極，多個(gè)垂直電極在第一互連結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)間隔排布。本申請(qǐng)能夠使襯底上的結(jié)構(gòu)布局更合理，縮小襯底的整體尺寸，降低成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種混合成像結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著工業(yè)和生活水平的發(fā)展，單純的紅外成像或者單純的可見光成像已不能滿足需求，具有更寬波段的成像技術(shù)越來(lái)越受到關(guān)注，特別是能同時(shí)對(duì)可見光和紅外光敏感的成像技術(shù)。

市場(chǎng)上的混合成像技術(shù)一般是采用芯片集成的方案，將可見光和長(zhǎng)波波段的成像處理芯片集成在一起。混合成像芯片結(jié)構(gòu)具體包括：作為可見光過濾層的襯底；分別位于襯底上方和下表面的長(zhǎng)波段光感應(yīng)區(qū)域和可見光感應(yīng)區(qū)域；以及用于將可見光感應(yīng)區(qū)域和長(zhǎng)波波段感應(yīng)區(qū)域所輸出的電信號(hào)進(jìn)行計(jì)算并轉(zhuǎn)換為圖像的電路處理模塊；其中電路處理模塊位于襯底下方，且通過貫穿硅片的互連孔實(shí)現(xiàn)與硅片上方長(zhǎng)波段光感應(yīng)區(qū)域的電連接。

然而，上述的混合成像芯片結(jié)構(gòu)在襯底上布局不合理，導(dǎo)致襯底的整體尺寸較大，增加成本。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種混合成像結(jié)構(gòu)，能夠使襯底上的結(jié)構(gòu)布局更合理，縮小襯底的整體尺寸，降低成本。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種混合成像結(jié)構(gòu)，該混合成像結(jié)構(gòu)包括：

襯底，襯底上設(shè)置有容置腔，且襯底具有相對(duì)設(shè)置的第一側(cè)和第二側(cè)。

電路處理器件，電路處理器件位于容置腔內(nèi)，且靠近第一側(cè)設(shè)置。

第一互連結(jié)構(gòu)，第一互連結(jié)構(gòu)位于襯底的第一側(cè)的表面上，第一互連結(jié)構(gòu)與電路處理器件電性連接。

可見光探測(cè)器件，可見光探測(cè)器件位于容置腔內(nèi)，且靠近第二側(cè)設(shè)置，可見光探測(cè)器件與第一互連結(jié)構(gòu)電性連接。可見光探測(cè)器件包括相互連接的至少一個(gè)N型摻雜區(qū)和至少兩個(gè)P型摻雜區(qū)，至少一個(gè)N型摻雜區(qū)位于至少兩個(gè)P型摻雜區(qū)之間。

多個(gè)垂直電極，多個(gè)垂直電極在第一互連結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)間隔排布。

紅外探測(cè)器件，紅外探測(cè)器件位于第一互連結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，紅外探測(cè)器件與第一互連結(jié)構(gòu)電性連接。

在上述的混合成像結(jié)構(gòu)中，可選的是，N型摻雜區(qū)為兩個(gè)，P型摻雜區(qū)為三個(gè)，兩個(gè)N型摻雜區(qū)和三個(gè)P型摻雜區(qū)相互交錯(cuò)排布。

在上述的混合成像結(jié)構(gòu)中，可選的是，可見光探測(cè)器件包括第一叉指P型電極組和第二叉指P型電極組，第一叉指P型電極組中的叉指P型電極的數(shù)量和第二叉指P型電極組中的叉指P型電極的數(shù)量相等。

至少兩個(gè)P型摻雜區(qū)包括第一P型摻雜區(qū)和第二P型摻雜區(qū)。

第一叉指P型電極組中的叉指P型電極的根部位于第一P型摻雜區(qū)上，第一叉指P型電極組中的叉指P型電極的端部朝第二P型摻雜區(qū)延伸。

第二叉指P型電極組中的叉指P型電極的根部位于第二P型摻雜區(qū)上，第二叉指P型電極組中的叉指P型電極的端部朝第一P型摻雜區(qū)延伸。

第一叉指P型電極組中的叉指P型電極與第二叉指P型電極組中的叉指P型電極依次交錯(cuò)排布，相鄰的第一叉指P型電極組中的叉指P型電極和第二叉指P型電極組中的叉指P型電極在水平方向上至少部分相對(duì)設(shè)置，并形成電容。