[發明專利]混合成像結構

有效

• 申請號: 202110910810.0
• 申請日: 2021-08-10
• 公開（公告）號: CN113363275B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 劉偉;郭得福;王鵬;段程鵬;馬仁旺;歐秦偉
• 申請（專利權）人: 西安中科立德紅外科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G01J1/42
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;劉芳

1.一種混合成像結構，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上設置有容置腔，且所述襯底具有相對設置的第一側和第二側；

電路處理器件，所述電路處理器件位于所述容置腔內，且靠近所述第一側設置；

第一互連結構，所述第一互連結構位于所述襯底的所述第一側的表面上，所述第一互連結構與所述電路處理器件電性連接；

可見光探測器件，所述可見光探測器件位于所述容置腔內，且靠近所述第二側設置，所述可見光探測器件與所述第一互連結構電性連接；所述可見光探測器件包括相互連接的至少一個N型摻雜區和至少兩個P型摻雜區，至少一個所述N型摻雜區位于至少兩個所述P型摻雜區之間；

多個垂直電極，多個所述垂直電極在所述第一互連結構遠離所述襯底的一側間隔排布；

紅外探測器件，所述紅外探測器件位于所述第一互連結構遠離所述襯底的一側，所述紅外探測器件與所述第一互連結構電性連接；

第二互連結構，所述第二互連結構靠近所述第二側設置，且與所述可見光探測器件中靠近所述第二側的所述P型摻雜區電性連接；

多個硅通孔，多個所述硅通孔貫穿所述襯底，且位于所述可見光探測器件的兩側，多個所述硅通孔電性連接所述第一互連結構和所述第二互連結構；

第三互連結構，所述第三互連結構位于所述容置腔內，且位于所述電路處理器件的兩側，所述第三互連結構電性連接所述第一互連結構和所述可見光探測器件中靠近所述第一側的所述P型摻雜區。

2.根據權利要求1所述的混合成像結構，其特征在于，所述N型摻雜區為兩個，所述P型摻雜區為三個，兩個所述N型摻雜區和三個所述P型摻雜區相互交錯排布。

3.根據權利要求1所述的混合成像結構，其特征在于，所述可見光探測器件包括第一叉指P型電極組和第二叉指P型電極組，所述第一叉指P型電極組中的叉指P型電極的數量和所述第二叉指P型電極組中的叉指P型電極的數量相等；

至少兩個所述P型摻雜區包括第一P型摻雜區和第二P型摻雜區；

所述第一叉指P型電極組中的所述叉指P型電極的根部位于所述第一P型摻雜區上，所述第一叉指P型電極組中的所述叉指P型電極的端部朝所述第二P型摻雜區延伸；

所述第二叉指P型電極組中的所述叉指P型電極的根部位于所述第二P型摻雜區上，所述第二叉指P型電極組中的所述叉指P型電極的端部朝所述第一P型摻雜區延伸；

所述第一叉指P型電極組中的所述叉指P型電極與所述第二叉指P型電極組中的所述叉指P型電極依次交錯排布，相鄰的所述第一叉指P型電極組中的所述叉指P型電極和所述第二叉指P型電極組中的所述叉指P型電極在水平方向上至少部分相對設置，并形成電容。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的混合成像結構，其特征在于，所述可見光探測器件在靠近所述第二側的表面凹凸不平。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的混合成像結構，其特征在于，所述可見光探測器件整體為彎折結構。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的混合成像結構，其特征在于，還包括聚光層，所述聚光層包括相對設置的第一聚光層和第二聚光層，所述第一聚光層和所述第二聚光層位于所述容置腔內，且共同形成透光區，所述透光區在所述紅外探測器件上的正投影和所述可見光探測器件在所述紅外探測器件上的正投影至少部分重合；

所述透光區的透光面積由所述可見光探測器件的一側朝所述紅外探測器件的一側逐漸減小。

7.根據權利要求6所述的混合成像結構，其特征在于，所述聚光層位于所述可見光探測器件靠近所述電路處理器件的一側，且位于所述可見光探測器件和所述電路處理器件之間；

或，所述聚光層位于所述電路處理器件遠離所述第一互連結構的一側，且所述可見光探測器件位于所述透光區內。

8.根據權利要求6所述的混合成像結構，其特征在于，所述聚光層的材質包括氮化硅、氮氧化硅或氧化硅中的一種或多種；

和/或，所述聚光層的厚度位于10nm-1μm之間。