[發明專利]一種確定硅片導電類型的方法

在審

• 申請號: 202110902930.6
• 申請日: 2021-08-06
• 公開（公告）號: CN113655094A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 魏星;李名浩;薛忠營
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司;中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04;G01R27/02
• 代理公司: 北京磐華捷成知識產權代理有限公司 11851
• 代理人: 謝栒

本申請公開了一種確定硅片導電類型的方法。所述方法包括：測量所述硅片的電阻率，以得到第一電阻率；將所述硅片在空氣中放置預設時間；放置預設時間之后再次測量所述硅片的電阻率，以得到第二電阻率；通過比較所述第一電阻率和所述第二電阻率，判斷所述硅片的導電類型。所述方法對于高電阻率(高于500ohm^?cm)可以快速準確的判斷硅片導電類型，測試結果準確，操作簡單，對設備要求低，成本低。

技術領域

本申請涉及半導體領域，具體而言涉及一種確定硅片導電類型的方法。

背景技術

直拉法生長的單晶硅廣泛用于制造半導體電子器件，通過摻雜可以生長出不同電阻率的硅晶體。對于某些器件要求如先進的無線通信應用、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和低功率、低泄漏器件，要求硅片有著很高電阻率(超過500ohm^-cm)。高阻值的硅片有利于減小器件間寄生電容的影響，器件可以更密集地堆積在硅片表面，同時可以降低器件間的信號傳輸損耗。

高阻值單晶硅通過摻入少量摻雜劑或不摻雜獲得。硅片的電阻率高，其載流子濃度低(1E11-1E13 atom/cm³)，判斷載流子的導電類型變得很困難，因此，導電類型的判別需要經過測量確定。但目前判定硅片導電類型的方法均只適用于低阻值硅片，且存在操作不方便、測試結果不可靠等問題。

因此需要進行改進，以解決上述問題。

發明內容

針對現有技術中存在的問題，本申請提供了一種確定硅片導電類型的方法，所述方法包括：

測量所述硅片的電阻率，以得到第一電阻率；

將所述硅片在空氣中放置預設時間；

放置預設時間之后再次測量所述硅片的電阻率，以得到第二電阻率；

通過比較所述第一電阻率和所述第二電阻率，判斷所述硅片的導電類型。

可選地，通過比較所述第一電阻率和所述第二電阻率，判斷所述硅片的導電類型包括：

若所述第一電阻率小于所述第二電阻率，則所述硅片為N型；

若所述第一電阻率大于所述第二電阻率，則所述硅片為P型。

可選地，在得到所述第一電阻率之前，所述方法還包括：

對所述硅片進行快速熱處理，以去除所述硅片中的熱施主。

可選地，所述快速熱處理的溫度范圍為750℃-1250℃，時間范圍為30-50s。

可選地，通過直排四探針測量所述硅片的所述第一電阻率和所述第二電阻率。

可選地，所述預設時間的范圍為1h-168h。

可選地，所述硅片為電阻率高于500ohm^-cm的硅片。

可選地，所述硅片為單晶硅硅片。

可選地，將所述硅片在空氣中放置預設時間，以使所述硅片的表面發生自然氧化和/或化學吸附。

為了解決目前存在的技術問題，本申請提供了一種確定硅片導電類型的方法，在所述方法中將硅片在空氣中放置，并測量放置前后的第一電阻率和第二電阻率，通過比較第一電阻率和第二電阻率，以得到硅片的導電類型。所述方法對于高電阻率(高于500ohm^-cm)可以快速準確的判斷硅片導電類型，測試結果準確，操作簡單，對設備要求低，成本低。

附圖說明