[發(fā)明專利]一種確定硅片導電類型的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110902930.6 | 申請日： | 2021-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN113655094A | 公開（公告）日： | 2021-11-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 魏星;李名浩;薛忠營 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司;中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 |
| 主分類號： | G01N27/04 | 分類號： | G01N27/04;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京磐華捷成知識產(chǎn)權代理有限公司 11851 | 代理人： | 謝栒 |
| 地址： | 201306 上海市浦東新區(qū)中國（*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 確定 硅片 導電 類型 方法 | ||
1.一種確定硅片導電類型的方法，其特征在于，所述方法包括：
測量所述硅片的電阻率，以得到第一電阻率；
將所述硅片在空氣中放置預設時間；
放置預設時間之后再次測量所述硅片的電阻率，以得到第二電阻率；
通過比較所述第一電阻率和所述第二電阻率，判斷所述硅片的導電類型。
2.根據(jù)權利要求1所述的確定硅片導電類型的方法，其特征在于，通過比較所述第一電阻率和所述第二電阻率，判斷所述硅片的導電類型包括：
若所述第一電阻率小于所述第二電阻率，則所述硅片為N型；
若所述第一電阻率大于所述第二電阻率，則所述硅片為P型。
3.根據(jù)權利要求1所述的確定硅片導電類型的方法，其特征在于，在得到所述第一電阻率之前，所述方法還包括：
對所述硅片進行快速熱處理，以去除所述硅片中的熱施主。
4.根據(jù)權利要求3所述的確定硅片導電類型的方法，其特征在于，所述快速熱處理的溫度范圍為750℃-1250℃，時間范圍為30-50s。
5.根據(jù)權利要求1所述的確定硅片導電類型的方法，其特征在于，通過直排四探針測量所述硅片的所述第一電阻率和所述第二電阻率。
6.根據(jù)權利要求1所述的確定硅片導電類型的方法，其特征在于，所述預設時間的范圍為1h-168h。
7.根據(jù)權利要求1所述的確定硅片導電類型的方法，其特征在于，所述硅片為電阻率高于500ohm-cm的硅片。
8.根據(jù)權利要求1所述的確定硅片導電類型的方法，其特征在于，所述硅片為單晶硅硅片。
9.根據(jù)權利要求1所述的確定硅片導電類型的方法，其特征在于，將所述硅片在空氣中放置預設時間，以使所述硅片的表面發(fā)生自然氧化和/或化學吸附。
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