[發(fā)明專利]大板扇出型封裝芯片的漂移定位測量方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110902316.X | 申請日: | 2021-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN113725108A | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳康清;陳新度;陳新;吳磊 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01B11/00;G01B11/24;G01B11/26 |
| 代理公司: | 廣州專理知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44493 | 代理人: | 張鳳 |
| 地址: | 510006 廣東省廣州市番*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 大板扇出型 封裝 芯片 漂移 定位 測量方法 裝置 | ||
1.大板扇出型封裝芯片的漂移定位測量方法,其特征在于,包括以下:
構(gòu)建誤差補償模型,包括,
獲取激光干涉儀采集的第一數(shù)據(jù),根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)得到運動平臺的直線度以及垂直度相關(guān)信息,
根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)計算進而建立所述誤差補償模型;
漂移定位測量,包括,
獲取機器視覺系統(tǒng)采集的第二數(shù)據(jù),所述第二數(shù)據(jù)包括大板扇出型封裝芯片的圖像信息,
獲取所述運動平臺的X、Y、Z軸搭載的光柵尺采集的第三數(shù)據(jù),所述第三數(shù)據(jù)用于反饋所述運動平臺的實時位置信息,
根據(jù)所述圖像信息結(jié)合所述第三數(shù)據(jù)得到所述芯片的誤差信息,所述誤差信息包括芯片在實際位置與在理論位置時的中心位置的偏移量以及芯片的偏轉(zhuǎn)角度,
根據(jù)所述誤差信息,結(jié)合建立的所述誤差補償模型,對所述芯片進行誤差補償。
2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的大板扇出型封裝芯片的漂移定位測量方法,其特征在于,所述運動平臺的直線度以及垂直度相關(guān)信息具體通過如下方式進行獲取,
保持運動平臺的Y,Z軸保持不動,通過移動運動平臺的X軸,每隔第一閾值距離記錄一次激光干涉儀測量的數(shù)據(jù),通過控制運動平臺在有效行程內(nèi)進行多次重復(fù)測量,記錄激光干涉儀測量到的運動平臺X軸的定位精度和直線度,同理,測量出Y軸的定位精度和直線度,而激光干涉儀測量運動平臺的垂直度是通過測量運動平臺第一軸的直線度并擬合直線作為垂直度測量的基準軸,保持第一軸測量基準不變的條件下測量第二軸的直線度,通過擬合直線求出運動平臺的X、Y軸的水平垂直度為θ。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大板扇出型封裝芯片的漂移定位測量方法,其特征在于,所述根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)計算進而建立所述誤差補償模型,具體包括以下,
由運動平臺產(chǎn)生的定位誤差建立的定位誤差模型如下,
通過激光干涉儀進行11個測量目標點等間隔測量,由運動平臺的定位誤差建立定位誤差模型如下式,
δx=a1x+b1 (13)
δy=a2y2+b2y+c2 (14)
式中δx為X軸定位誤差,δy為Y軸定位誤差,x為運動平臺的位移,a1、a2、b1、b2、c2均為常數(shù);
獲得第二軸由第一軸的直線度導(dǎo)致的誤差產(chǎn)生的誤差模型,
利用五階多項式擬合X、Y軸的直線度誤差曲線,
ε=a3x5+b3x4+c3x3+d3x2+e3x+f3 (15)
由運動平臺直線度和定位精度建立運動平臺定位誤差模型為:
Δx=δx+εx (16)
Δy=δy+εy (17)
其中Δx為x軸的定位誤差、Δy為y軸的定位誤差;
則運動平臺的實際坐標為:
xactual=(xideal+Δx)+(yideal+Δy)sinθ (18)
yactual=(yideal+Δy)cosθ (19)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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