[發(fā)明專利]高頻開關(guān)整流吸收電路瞬態(tài)模型及電路參數(shù)測試方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110902015.7
• 申請日: 2021-08-06
• 公開（公告）號: CN113824299A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 游伏生;羅贊興
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞市邁思普電子有限公司
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32;H02M7/06;G01R31/28
• 代理公司: 北京喆翙知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11616
• 代理人: 李朦

本發(fā)明公開了一頻開關(guān)整流吸收電路瞬態(tài)模型，包括信號電壓V_in，信號電壓串聯(lián)接有電阻R₁、電感L和電容Ce，電容C_e上并聯(lián)接有整流二極管D₁/D₂，整流二極管D₁/D₂上并聯(lián)接有電容C₂和電阻R₂；高頻開關(guān)整流吸收電路參數(shù)測試方法，包括以下步驟：S1、將R₂短路，C₂開路，測試整流D₁/D₂的反向電壓的最大電壓V_off和震蕩頻率f₀，震蕩頻率f₀的計(jì)算公式為S2、將R₂短路，逐漸增加電容C₂，使得震蕩頻率f＝f₀/2；S3、計(jì)算寄生電容Ce和寄生電感L，寄生電容Ce的計(jì)算公式為Ce＝C₂/3，寄生電感L的計(jì)算公式為L＝1/C_e(2πf_o)²；S4、計(jì)算吸收電阻R₂和吸收電容C₂，吸收電阻R₂的計(jì)算公式為吸收電容C₂的計(jì)算公式為本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：可一次性得到最優(yōu)吸收電路參數(shù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及整流電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是指高頻開關(guān)整流吸收電路瞬態(tài)模型及電路參數(shù)測試方法。

背景技術(shù)

在沒有高頻開關(guān)整流吸收電路瞬態(tài)模型及測試的情況下，工程師憑經(jīng)驗(yàn)和感覺通過不斷地反復(fù)試錯(cuò)來確定吸收電路參數(shù)，猶如盲人摸象既費(fèi)事又費(fèi)力，而且不是最優(yōu)的可能性很大。而不是通過設(shè)計(jì)來確定吸收電路參數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，針對上述問題，提供一種通過簡便測試方法得到原始寄生參數(shù)后，通過計(jì)算確定吸收電路參數(shù)，一次性得到最優(yōu)吸收電路參數(shù)，從而擺脫既費(fèi)事又費(fèi)力地不斷地反復(fù)試錯(cuò)的高頻開關(guān)整流吸收電路瞬態(tài)模型及電路參數(shù)測試方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：高頻開關(guān)整流吸收電路瞬態(tài)模型，包括信號電壓V_in，所述信號電壓串聯(lián)接有電阻R₁、電感L和電容Ce，所述電容C_e上并聯(lián)接有整流二極管D₁/D₂，所述整流二極管D₁/D₂上并聯(lián)接有電容C₂和電阻R₂。

高頻開關(guān)整流吸收電路參數(shù)測試方法，包括以下步驟：

S1、將R₂短路，C₂開路，測試整流D₁/D₂的反向電壓的最大電壓V_off和震蕩頻率f₀，所述震蕩頻率f₀的計(jì)算公式為

S2、將R₂短路，逐漸增加電容C₂，使得震蕩頻率f＝f₀/2；

S3、計(jì)算寄生電容Ce和寄生電感L，所述寄生電容Ce的計(jì)算公式為Ce＝C₂/3,所述寄生電感L的計(jì)算公式為L＝1/C_e(2πf_o)²；

S4、計(jì)算吸收電阻R₂和吸收電容C₂，所述吸收電阻R₂的計(jì)算公式為所述吸收電容C₂的計(jì)算公式為其中V_a為預(yù)計(jì)的電壓復(fù)幅度。