[發明專利]高頻開關整流吸收電路瞬態模型及電路參數測試方法

在審

• 申請號: 202110902015.7
• 申請日: 2021-08-06
• 公開（公告）號: CN113824299A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 游伏生;羅贊興
• 申請（專利權）人: 東莞市邁思普電子有限公司
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32;H02M7/06;G01R31/28
• 代理公司: 北京喆翙知識產權代理有限公司 11616
• 代理人: 李朦

1.高頻開關整流吸收電路瞬態模型，包括信號電壓V_in，其特征在于：所述信號電壓串聯接有電阻R₁、電感L和電容Ce，所述電容C_e上并聯接有整流二極管D₁/D₂，所述整流二極管D₁/D₂上并聯接有電容C₂和電阻R₂。

2.高頻開關整流吸收電路參數測試方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將R₂短路，C₂開路，測試整流D₁/D₂的反向電壓的最大電壓V_off和震蕩頻率f₀，所述震蕩頻率f₀的計算公式為

S2、將R₂短路，逐漸增加電容C₂，使得震蕩頻率f＝f₀/2；

S3、計算寄生電容Ce和寄生電感L，所述寄生電容Ce的計算公式為Ce＝C₂/3,所述寄生電感L的計算公式為L＝1/C_e(2nf_o)²；

S4、計算吸收電阻R₂和吸收電容C₂，所述吸收電阻R₂的計算公式為所述吸收電容C₂的計算公式為其中V_a為預計的電壓復幅度。

3.根據權利要求3所述的高頻開關整流吸收電路參數測試方法，其特征在于：所述V_a的數值為V_in的1.1-1.3倍。