[發明專利]半導體設備腔體內陽極氧化鋁與陶瓷噴涂材質靜電吸盤超潔凈清洗工藝有效
| 申請號： | 202110901844.3 | 申請日： | 2021-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN113714178B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發明（設計）人： | 姚雪;賀賢漢;朱光宇;王松朋;張正偉;李泓波 | 申請（專利權）人： | 富樂德科技發展（大連）有限公司 |
| 主分類號： | B08B3/02 | 分類號： | B08B3/02;B08B1/00;B08B3/12;B08B13/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 大連智高專利事務所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 蓋小靜 |
| 地址： | 116600 遼寧省大連市保稅區*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體設備 體內 陽極 氧化鋁 陶瓷 噴涂 材質 靜電 吸盤 潔凈 清洗 工藝 | ||
1.一種半導體設備腔體內陽極氧化鋁與陶瓷噴涂材質靜電吸盤超潔凈清洗工藝，其特征在于，包括：
步驟一：使用壓縮空氣對靜電吸盤背面冷卻液孔進行吹掃并用無塵布蘸取異丙醇進行擦拭，擦拭時間為1-2min；
步驟二：先使用異丙醇分別對靜電吸盤正面、側面、背面進行全面擦拭；再使用丙酮分別對靜電吸盤正面、側面、背面進行全面擦拭，擦拭時間為2-4min；
步驟三：使用耐酸堿定制膠帶對靜電吸盤的電極端口及冷卻液孔進行保護，并用刮板刮除氣泡以保證膠帶保護的密封性；
步驟四：將靜電吸盤垂直放置，先用汽水槍沖洗氦氣孔和提拉孔確保每個孔內都有液流，然后再用異丙醇沖洗；
步驟五：將靜電吸盤放入異丙醇溶液中浸泡，浸泡時間為15-25min；然后再用無塵布進行擦拭；
步驟六：使用圓餅狀膠帶將靜電吸盤正面的陶瓷面及背面的陽極氧化面進行保護；
步驟七：對靜電吸盤的臺階面及側面進行精噴砂處理；
步驟八：去除陶瓷面及陽極氧化面的圓餅狀膠帶，并使用異丙醇擦拭去除可能存在的殘膠；
步驟九：使用百潔布對陽極氧化面進行均勻打磨處理，直至顏色均勻；
步驟十：純水沖洗整個靜電吸盤，并用壓縮空氣對靜電吸盤進行吹干處理；
步驟十一：在無塵室中用熱水浸泡靜電吸盤，同時進行氣動鼓泡；
步驟十二：在無塵室中用熱水沖洗靜電吸盤，沖洗完成用無塵布進行擦拭；
步驟十三：在無塵室中采用超聲波進行清洗；
步驟十四：在無塵室中采用壓縮空氣對靜電吸盤進行吹干處理；
步驟十五：在無塵室中將靜電吸盤垂直放置，使用擠瓶從背面將異丙醇及純水分別擠壓沖入氦氣孔和提拉孔內，再次清洗氦氣孔、提拉孔；
步驟十六：在無塵室中將靜電吸盤表面吹干后使用真空烘箱對其進行加熱干燥處理。
2.根據權利要求1所述一種半導體設備腔體內陽極氧化鋁與陶瓷噴涂材質靜電吸盤超潔凈清洗工藝，其特征在于，所述步驟七中噴砂處理采用400#金剛砂，壓力設置為：0.15-0.25 MPa。
3.根據權利要求1所述一種半導體設備腔體內陽極氧化鋁與陶瓷噴涂材質靜電吸盤超潔凈清洗工藝，其特征在于，所述步驟十一中浸泡靜電吸盤的溫度為：60-65℃，時間為：8-15min。
4.根據權利要求1所述一種半導體設備腔體內陽極氧化鋁與陶瓷噴涂材質靜電吸盤超潔凈清洗工藝，其特征在于，所述步驟十二中沖洗靜電吸盤的溫度為：60-65℃，時間為：8-10min，沖洗完成用無塵布進行擦拭。
5.根據權利要求1所述一種半導體設備腔體內陽極氧化鋁與陶瓷噴涂材質靜電吸盤超潔凈清洗工藝，其特征在于，所述步驟十三中采用超聲波進行清洗時，超音波強度為4-10W/inch2，超聲時間為15-20min。
6.根據權利要求1所述一種半導體設備腔體內陽極氧化鋁與陶瓷噴涂材質靜電吸盤超潔凈清洗工藝，其特征在于，所述步驟十六中烘干溫度為60-80℃，干燥時間為6-8h。
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