[發(fā)明專利]一種新型TO-263引線框架在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110900315.1 | 申請日: | 2021-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN113644043A | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 魏志丹;楊伊杰;趙文濤;張濤 | 申請(專利權(quán))人: | 華羿微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L23/367;H01L23/00 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 黨娟娟;郭永麗 |
| 地址: | 710018 陜西省西安市未央?yún)^(qū)*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 to 263 引線 框架 | ||
1.一種新型TO-263引線框架,其特征在于,包括:散熱區(qū)、載片區(qū)、引腳區(qū);
散熱區(qū)設(shè)置在載片區(qū)的上方,所述散熱區(qū)和所述載片區(qū)之間設(shè)置有橢圓形鎖膠槽;
所述引腳區(qū)設(shè)置在所述載片區(qū)下方,且所述引腳區(qū)下方設(shè)置邊框;
所述引腳區(qū)上設(shè)置有第一引腳和第二引腳,所述載片區(qū)和所述第一引腳和所述第二引腳之間相互隔離。
2.如權(quán)利要求1所述的引線框架,其特征在于,還包括第一引腳焊接區(qū)和第二引腳焊接區(qū);
所述第一引腳焊接區(qū)的右上角設(shè)置第一拐角,所述第二引腳焊接區(qū)的右上角和左下角分別設(shè)置第二拐角和第三拐角,且第一拐角、第二拐角和第三拐角所包括的斜邊相互平行;
所述第一引腳與所述第一引腳焊接區(qū)連接,所述第二引腳與所述第二引腳焊接區(qū)連接。
3.如權(quán)利要求1和2所述的引線框架,其特征在于,所述載片區(qū)和第一引腳焊接區(qū)及第二引腳焊接區(qū)之間的水平距離為0.30mm,垂直距離為1.30mm;
所述第一引腳和所述第二引腳之間的距離為5.08mm。
4.如權(quán)利要求2所述的引線框架,其特征在于,所述第一拐角、第二拐角和第三拐角的角度均介于40°~50°之間;
所述第二引腳焊接區(qū)的面積是所述第一引腳焊接區(qū)面積的1.8倍~2.4倍。
5.如權(quán)利要求2所述引線框架,其特征在于,所述第一引腳與所述第一引腳焊接區(qū)相接部分設(shè)置有半圓形鎖膠槽和第一引腳V槽,所述半圓形鎖膠槽位于所述第一引腳和所述第一引腳焊接區(qū)相接部分且靠近所述第二引腳焊接區(qū)的一側(cè);
所述第二引腳與所述第二引腳焊接區(qū)相接部分設(shè)置有圓形鎖膠槽和第二引腳V槽,所述圓形鎖膠槽位于所述第二引腳和所述第二引腳焊接區(qū)相接部分內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的引線框架,其特征在于,所述散熱區(qū)和所述載片區(qū)之間還包括有第四拐角和燕尾槽;
所述橢圓形鎖膠槽為正面和反面依次經(jīng)沖壓成型,所述橢圓形鎖膠槽厚度為1.3mm;
所述橢圓形鎖膠槽正面長3.8mm,寬1.2mm;所述橢圓形鎖膠槽反面長3.6mm,寬1mm;
封裝后的所述橢圓形鎖膠槽內(nèi)填充塑封料。
7.如權(quán)利要求1所述的引線框架,其特征在于,所述載片區(qū)四周設(shè)置第一V槽;所述載片區(qū)左右兩個側(cè)邊設(shè)置階梯狀半沖壓結(jié)構(gòu),且階梯狀半沖壓結(jié)構(gòu)位于所述第一V槽遠(yuǎn)離所述載片區(qū)的一側(cè);
所述載片區(qū)包括一個基島;或者所述載片區(qū)包括兩個基島。
8.如權(quán)利要求1所述的引線框架,其特征在于,還包括連接筋;
所述散熱區(qū)、載片區(qū)、中筋、引腳區(qū)和邊框形成一個引線框架單元;
引線框架單元包括的載片區(qū)的兩側(cè)分別設(shè)置一個連接筋,且相鄰兩個所述引線框架單元之間共用一個所述連接筋;或者相鄰兩個所述引線框架單元為一組引線框,位于所述一組引線框內(nèi)的兩個載片區(qū)的兩個不相鄰的側(cè)邊分別設(shè)置有一個連接筋。
9.如權(quán)利要求1所述的引線框架,其特征在于,還包括有流道腰孔和非流道腰孔,所述非流道腰孔的孔徑大于等于所述流道腰孔的孔徑;
所述流道腰孔和所述非流道腰孔按照依次間隔的方式設(shè)置在所述中筋和所述邊框之間的連接筋上。
10.如權(quán)利要求1所述的引線框架,其特征在于,所述散熱區(qū)包括頂部散熱區(qū)和背面散熱區(qū);
所述頂部散熱區(qū)設(shè)置在所述載片區(qū)的上方;
所述背面散熱區(qū)設(shè)置在所述載片區(qū)的正下方。
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