[發(fā)明專利]一種選擇性發(fā)射極的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110896305.5
• 申請日: 2021-08-05
• 公開（公告）號: CN113594303A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱波;胡艷玲;彭彪;顧峰;謝泰宏
• 申請（專利權(quán)）人: 通威太陽能(安徽)有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 付興奇

一種選擇性發(fā)射極的制作方法，屬于光伏領(lǐng)域。選擇性發(fā)射極的制作方法包括：對硅片進行擴散、局部重摻雜以及熱氧化。對硅片進行擴散的步驟，使選擇性發(fā)射區(qū)的摻雜元素的摻雜量低于預(yù)設(shè)值，并且能夠通過熱氧化而彌補。該制作方法可以減少工藝過程中的摻雜源的消耗。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及光伏領(lǐng)域，具體而言，涉及一種選擇性發(fā)射極的制作方法。

背景技術(shù)

鈍化發(fā)射極和背面電池(Passivated Emitter and Rear Cell，簡稱PERC)疊加選擇性發(fā)射極(Selective Emitter，簡稱SE)和堿拋工藝具有明顯的性能和成本優(yōu)勢，并因此取代了酸拋工藝。這極大地推動了P型太陽能單晶硅片的應(yīng)用。

在基于P型晶硅的激光摻雜選擇性發(fā)射極電池中，摻雜主要為了在電池的發(fā)射結(jié)的N面的柵線區(qū)域形成局部重摻雜。局部重摻雜主要利用通過擴散在硅片表面形成的磷硅玻璃(PSG)層中的磷。通過選擇性地，將特定區(qū)域的PSG中的P摻雜實現(xiàn)在該局部的重摻雜，而其他區(qū)域則是相對性的輕摻雜。

在上述的工藝中，擴散工藝對后續(xù)的SE形成工藝造成重要的影響。并且，隨著太陽電池降低成本和提高效率的需求，如何優(yōu)化上述的擴散工藝就成為了一個重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)岢隽艘环N選擇性發(fā)射極的制作方法。該方法能夠減少工藝過程中的摻雜源的消耗，從而降低制作成本。

本申請是這樣實現(xiàn)的：

在第一方面，本申請的示例提供了一種選擇性發(fā)射極的制作方法。制作方法包括：對硅片依次進行擴散、局部重摻雜以獲得具有選擇性發(fā)射區(qū)的選擇性摻雜片。對硅片進行擴散的步驟，使選擇性發(fā)射區(qū)中的摻雜元素的摻雜量低于預(yù)設(shè)值。并且方法還包括：對選擇性摻雜片熱氧化，從而以擴散的過程中提供的摻雜元素作為源，使選擇性發(fā)射區(qū)的摻雜元素的摻雜量補足至預(yù)設(shè)值。

結(jié)合第一方面，在本申請的第一方面的第一種可能的實施方式中，對選擇性摻雜片熱氧化的方法包括：將選擇性摻雜片預(yù)熱，然后在含氧氣的氣氛的加熱環(huán)境中進行氧化。

結(jié)合第一方面的第一種實施方式，在本申請的第一方面的第二種可能的實施方中，對選擇性摻雜片預(yù)熱的過程中溫度是逐步升高的。

結(jié)合第一方面，在本申請的第一方面的第三種可能的實施方式中，對硅片進行擴散的方法包括對硅片依次進行前氧化、沉積以及后氧化，其中，前氧化的操作在氧氣氛圍下實施，沉積的操作在摻雜元素和氧氣氣氛下實施，后氧化的操作在氧氣氣氛下實施。

結(jié)合第一方面的第三種實施方式，在本申請的第一方面的第四種可能的實施方中，在前氧化的操作的過程中，硅片是靜止的；和/或，在后氧化的操作過程中，硅片是靜止的。

結(jié)合第一方面的第三種或第四種實施方式，在本申請的第一方面的第五種可能的實施方中，在沉積過程包括：硅片在靜止?fàn)顟B(tài)下實施的預(yù)沉積的操作和隨后使硅片在運功中進行的后沉積的操作。

結(jié)合第一方面的第五種實施方式，在本申請的第一方面的第六種可能的實施方中，后沉積的操作中，硅片的運動方式包括在第一溫度下推進硅片，以及隨后在第二溫度下推進硅片，第一溫度高于第二溫度。

結(jié)合第一方面的第六種實施方式，在本申請的第一方面的第七種可能的實施方中，預(yù)沉積操作過程中的溫度小于后沉積操作過程中的第一溫度。

結(jié)合第一方面，在本申請的第一方面的第八種可能的實施方式中，硅片為P型硅，摻雜元素為磷且通過三氯氧磷提供，選擇性發(fā)射區(qū)為N型摻雜。

結(jié)合第一方面，在本申請的第一方面的第九種可能的實施方式中，對硅片進行擴散的操作在擴散爐中進行，對選擇性摻雜片熱氧化的操作在擴散爐中進行。