[發(fā)明專利]一種選擇性發(fā)射極的制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110896305.5
• 申請(qǐng)日: 2021-08-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113594303A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱波;胡艷玲;彭彪;顧峰;謝泰宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 通威太陽(yáng)能(安徽)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 付興奇

1.一種選擇性發(fā)射極的制作方法，所述制作方法包括：對(duì)硅片依次進(jìn)行擴(kuò)散、局部重?fù)诫s以獲得具有選擇性發(fā)射區(qū)的選擇性摻雜片，其特征在于，對(duì)所述硅片進(jìn)行所述擴(kuò)散的步驟，使所述選擇性發(fā)射區(qū)中的所述摻雜元素的摻雜量低于預(yù)設(shè)值，并且所述方法還包括：

對(duì)所述選擇性摻雜片進(jìn)行熱氧化，從而以所述擴(kuò)散的過(guò)程中提供的摻雜元素作為源，使所述選擇性發(fā)射區(qū)的摻雜元素的摻雜量補(bǔ)足至所述預(yù)設(shè)值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極的制作方法，其特征在于，對(duì)所述選擇性摻雜片進(jìn)行熱氧化的方法包括：將所述選擇性摻雜片預(yù)熱，然后在含氧氣的氣氛的加熱環(huán)境中進(jìn)行氧化。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的選擇性發(fā)射極的制作方法，其特征在于，對(duì)所述選擇性摻雜片預(yù)熱的過(guò)程中的溫度是逐步升高的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極的制作方法，其特征在于，對(duì)所述硅片進(jìn)行擴(kuò)散的方法包括對(duì)所述硅片依次進(jìn)行前氧化、沉積以及后氧化，其中，所述前氧化的操作在氧氣氣氛下實(shí)施，所述沉積的操作在摻雜元素和氧氣氣氛下實(shí)施，所述后氧化的操作在氧氣氣氛下實(shí)施。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的選擇性發(fā)射極的制作方法，其特征在于，在所述前氧化的操作的過(guò)程中，所述硅片是靜止的；和/或，在所述后氧化的操作過(guò)程中，所述硅片是靜止的。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的選擇性發(fā)射極的制作方法，其特征在于，在所述沉積的過(guò)程包括：所述硅片在靜止?fàn)顟B(tài)下實(shí)施的預(yù)沉積的操作和隨后使硅片在運(yùn)功中進(jìn)行的后沉積的操作。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的選擇性發(fā)射極的制作方法，其特征在于，所述后沉積的操作中，所述硅片的運(yùn)動(dòng)方式包括在第一溫度下推進(jìn)所述硅片，以及隨后在第二溫度下推進(jìn)所述硅片，且所述第一溫度高于所述第二溫度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的選擇性發(fā)射極的制作方法，其特征在于，所述預(yù)沉積的操作過(guò)程中的溫度小于所述后沉積的操作過(guò)程中的所述第一溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極的制作方法，其特征在于，所述硅片為P型硅，所述摻雜元素為磷且通過(guò)三氯氧磷提供，所述選擇性發(fā)射區(qū)為N型摻雜。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性發(fā)射極的制作方法，其特征在于，對(duì)所述硅片進(jìn)行擴(kuò)散的操作在擴(kuò)散爐中進(jìn)行，對(duì)所述選擇性摻雜片熱氧化的操作在擴(kuò)散爐中進(jìn)行。