[發明專利]一種LED及其制備方法

有效

• 申請號: 202110895672.3
• 申請日: 2021-08-05
• 公開（公告）號: CN113594330B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 陳德偽;翁啟偉;劉英策;劉宇軒
• 申請（專利權）人: 江西乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00;H01L33/46
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華

1.一種LED的制備方法，其特征在于，包括：

提供外延片，所述外延片包括在第一方向上依次疊加的襯底、第一類型半導體層、多量子阱層和第二類型半導體層；

采用光刻工藝對所述第二類型半導體層和所述多量子阱層的疊層進行刻蝕，形成多個裸露所述第一類型半導體層的鏤空區；

采用光刻工藝對所述第一類型半導體層、所述多量子阱層和所述第二類型半導體層的疊層進行刻蝕，形成環所述外延片側壁且裸露所述襯底的邊緣鏤空區；

在所述鏤空區和所述邊緣鏤空區處填充光刻膠層；

在所述第二類型半導體層背離所述襯底一側表面蒸鍍金屬反射層，所述金屬反射層對應所述光刻膠層處具有開孔；在所述第一方向上，所述金屬反射層與所述光刻膠層無交疊；

在所述金屬反射層背離所述襯底一側蒸鍍保護層，所述保護層覆蓋所述金屬反射層背離所述襯底一側表面和在所述開孔處的側壁；

去除所述光刻膠層。

2.根據權利要求1所述的LED的制備方法，其特征在于，所述保護層包括覆蓋所述金屬反射層背離所述襯底一側表面的第一部分，和覆蓋所述金屬反射層的側壁的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。

3.根據權利要求1所述的LED的制備方法，其特征在于，所述光刻膠層背離所述襯底一側表面，高于所述第二類型半導體層背離所述襯底一側表面。

4.根據權利要求1所述的LED的制備方法，其特征在于，所述金屬反射層為Ag金屬反射層。

5.根據權利要求1所述的LED的制備方法，其特征在于，所述保護層包括與所述金屬反射層接觸的Ni層。

6.根據權利要求5所述的LED的制備方法，其特征在于，所述保護層還包括位于所述Ni層背離所述襯底一側、且沿所述第一方向疊加設置的至少一個保護子疊層；

所述保護子疊層包括沿所述第一方向依次疊加設置的Ti層和Pt層。

7.根據權利要求1所述的LED的制備方法，其特征在于，去除所述光刻膠層后，還包括：

在所述保護層背離所述襯底一側形成第一絕緣層；

采用光刻工藝對所述第一絕緣層進行刻蝕，形成裸露所述開孔的第一開口和裸露所述保護層的第二開口，所述第一絕緣層在所述第一開口處覆蓋所述第一開口的側壁；

采用金屬剝離工藝在所述第一絕緣層背離所述襯底一側形成電極層，所述電極層通過所述第一開口與所述第一類型半導體層接觸，且所述電極層包括裸露所述第二開口的電極開口；

在所述電極層背離所述襯底一側形成第二絕緣層；

采用光刻工藝對所述第二絕緣層進行刻蝕，形成裸露所述電極層的第三開口和裸露所述電極開口的第四開口，所述第二絕緣層在所述第四開口處覆蓋所述第四開口的側壁；

采用金屬剝離工藝在所述第二絕緣層背離所述襯底一側形成第一電極和第二電極，所述第一電極通過所述第三開口與所述電極層接觸，所述第二電極通過所述第四開口與所述保護層接觸。

8.根據權利要求7所述的LED的制備方法，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度范圍為3.1-6μm，包括端點值；

所述第二絕緣層的厚度范圍為3.1-6μm，包括端點值。

9.一種LED，其特征在于，包括：

外延片，所述外延片包括在第一方向上依次疊加的襯底、第一類型半導體層、多量子阱層和第二類型半導體層；其中，所述第二類型半導體層和所述多量子阱層的疊層，形成有多個裸露所述第一類型半導體層的鏤空區；及，所述第一類型半導體層、所述多量子阱層和所述第二類型半導體層的疊層，形成有環所述外延片側壁且裸露所述襯底的邊緣鏤空區；

位于所述第二類型半導體層背離所述襯底一側表面蒸鍍金屬反射層，所述金屬反射層對應所述鏤空區和所述邊緣鏤空區處具有開孔；在所述第一方向上，所述金屬反射層與所述鏤空區和所述邊緣鏤空區無交疊；

位于所述金屬反射層背離所述襯底一側蒸鍍保護層，所述保護層覆蓋所述金屬反射層背離所述襯底一側表面和在所述開孔處的側壁。

10.根據權利要求9所述的LED，其特征在于，所述保護層包括覆蓋所述金屬反射層背離所述襯底一側表面的第一部分，和覆蓋所述金屬反射層的側壁的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。