[發明專利]一種LED及其制備方法

有效

• 申請號: 202110895672.3
• 申請日: 2021-08-05
• 公開（公告）號: CN113594330B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 陳德偽;翁啟偉;劉英策;劉宇軒
• 申請（專利權）人: 江西乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00;H01L33/46
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華

本發明提供了一種LED及其制備方法，以鏤空區和邊緣鏤空區處填充的光刻膠層為保護結構，以在外延片上蒸鍍金屬反射層和保護層，而后去除光刻膠層。本發明提供的技術方案，僅需要一次光刻工藝即可得到最終的金屬反射層和保護層，使得LED制備方法的流程簡單。

技術領域

本發明涉及半導體器件技術領域，更為具體地說，涉及一種LED及其制備方法。

背景技術

倒裝LED(light-emitting?diode，發光二極管)需要從芯片背面(藍寶石面)出光，所以在LED芯片正面需要鍍一層反射層，其中一種方法是在正面蒸鍍一層Ag(即自然界中反射率最高的金屬)，由于Ag非常活潑，具有很強的電遷移性，因此在制備具有Ag反射層結構的倒裝LED芯片時，在蒸鍍完Ag反射層時，往往還會在蒸鍍一層保護金屬層完全包裹住Ag層，作為Ag的保護層，防止Ag遷移。但是，現有的LED制備過程較為復雜。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種LED及其制備方法，有效解決了現有技術存在的技術問題，使得LED制備方法的流程簡單。

為實現上述目的，本發明提供的技術方案如下：

一種LED的制備方法，包括：

提供外延片，所述外延片包括在第一方向上依次疊加的襯底、第一類型半導體層、多量子阱層和第二類型半導體層；

采用光刻工藝對所述第二類型半導體層和所述多量子阱層的疊層進行刻蝕，形成多個裸露所述第一類型半導體層的鏤空區；

采用光刻工藝對所述第一類型半導體層、所述多量子阱層和所述第二類型半導體層的疊層進行刻蝕，形成環所述外延片側壁且裸露所述襯底的邊緣鏤空區；

在所述鏤空區和所述邊緣鏤空區處填充光刻膠層；

在所述第二類型半導體層背離所述襯底一側表面蒸鍍金屬反射層，所述金屬反射層對應所述光刻膠層處具有開孔；在所述第一方向上，所述金屬反射層與所述光刻膠層無交疊；

在所述金屬反射層背離所述襯底一側蒸鍍保護層，所述保護層覆蓋所述金屬反射層背離所述襯底一側表面和在所述開孔處的側壁；

去除所述光刻膠層。

可選的，所述保護層包括覆蓋所述金屬反射層背離所述襯底一側表面的第一部分，和覆蓋所述金屬反射層的側壁的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。

可選的，所述光刻膠層背離所述襯底一側表面，高于所述第二類型半導體層背離所述襯底一側表面。

可選的，所述金屬反射層為Ag金屬反射層。

可選的，所述保護層包括與所述金屬反射層接觸的Ni層。

可選的，所述保護層還包括位于所述Ni層背離所述襯底一側、且沿所述第一方向疊加設置的至少一個保護子疊層；

所述保護子疊層包括沿所述第一方向依次疊加設置的Ti層和Pt層。

可選的，去除所述光刻膠層后，還包括：

在所述保護層背離所述襯底一側形成第一絕緣層；

采用光刻工藝對所述第一絕緣層進行刻蝕，形成裸露所述開孔的第一開口和裸露所述保護層的第二開口，所述第一絕緣層在所述第一開口處覆蓋所述第一開口的側壁；

采用金屬剝離工藝在所述第一絕緣層背離所述襯底一側形成電極層，所述電極層通過所述第一開口與所述第一類型半導體層接觸，且所述電極層包括裸露所述第二開口的電極開口；

在所述電極層背離所述襯底一側形成第二絕緣層；